- 據金士頓內存公司亞太業務分部的副總裁Scott Chen表示，盡管有可導致需求減旺的季節性因素存在，但今年第二季度市場對內存芯片的需求將依然維持較為強勁的勢頭，他還認為DDR2/3內存芯片的價 格很有可能在目前的3美元均價的基礎上再進一步提升。
他認為微軟Windows7操作系統在消費者和企業電腦系統中的普及程度是導致內存需求旺盛的主要原因，他表示從今年年初開始，市場對內存的需求便一直保持在較為旺盛的狀態。他還指出，只要各大內存芯片廠商不要盲目擴大產能，那么內存芯片市場的強勢需求局面將再維持至少
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金士頓 內存芯片
- DRAMeXchange傳來噩耗稱內存芯片的價格在未來三年內將持續走高。這家市場分析公司將內存產業的興衰周期定為3年左右，據該公司的分析師表示，2001-2003年，內存業者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復為持續盈利的狀態，2007-2009年間則再度出現虧損期，因此他們預計從2010年開始，在全球經濟危機緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內存業者將再度扭虧為盈，進入新的一輪三年盈利期。
不過內存業者仍然面臨另外一個重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級別則一般
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半導體 內存芯片
- 據國外媒體報道，韓國三星電子預期今年其芯片業務今年上半年營運利潤將超過4萬億韓元(35億美元)。
三星電子是全球最大的內存芯片制造商，據消息人士透露，此前該公司預期全年芯片業務僅會產生4.4萬億韓元(約合39億美元)營運利潤。三星電子發言人拒絕就此作出評論。
電腦內存芯片價格走高以及個人電腦需求的復蘇共同促進了三星公司增長的恢復，該公司日前表示正考慮提高今年在內存芯片方面的資本投入。
預計三星公司下周將公布其第一季度收入預期。
周二收盤時，三星公司股價報81.4萬韓元(約合72
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三星 內存芯片
- DRAMeXchange傳來噩耗稱內存芯片的價格在未來三年內將持續走高。這家市場分析公司將內存產業的興衰周期定為3年左右，據該公司的分析師表 示，2001-2003年，內存業者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復為持續盈利的狀態，2007-2009年間則再度出現虧損期，因此他們 預計從2010年開始，在全球經濟危機緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內存業者將再度扭虧為盈，進入新的一輪三年盈利期。
不過內存業者仍然面臨另外一個重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級別則
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內存芯片 光刻
- 繼三星，力晶等內存芯片大廠對內存芯片產能提升事宜公開發表意見之后，鎂光公司近日也表態稱他們今年沒有提升內存芯片產能的計劃，鎂光表示他們將專注與縮 減內存芯片的制程尺寸，以便提升自己的產品競爭力。不久前，三星公司芯片部門的首腦人物Oh-Hyun Kwon同樣曾公開表態稱內存芯片業者不應盲目表態將增加內存芯片的產量，而是應當把注意力放在提升產品制程工藝方面。而力晶公司主席Frank Huang也呼吁內存業者提升芯片產能時要非常謹慎，以避免犯下和過去一樣的錯誤。
2005年，全球多家內存芯片廠為了擴增
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鎂光 內存芯片
- 日本最大的內存芯片廠商東芝將重啟因經濟衰退而擱置的產能擴展計劃，它將從7月開始建設新的閃存生產廠。
東芝表示，新生產廠位于日本中部四日市，是公司第五條生產線，預計在2011年春季完建。東芝沒有透露該生產廠的建設成本。
包括蘋果iPhone在內的智能手機銷售的增長，推動了NAND內存需求的增長。據市場調研公司 iSuppli預計，NAND閃存市場今年的總收入將增長34%達到181億美元。
東芝發言人Hiroki Yamazaki稱，雖然東芝尚未決定四日市芯片生產廠的投資規模，但是建立新
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東芝 內存芯片 NAND
- 繼三星，力晶等內存芯片大廠對內存芯片產能提升事宜公開發表意見之后，美光公司近日也表態稱他們今年沒有提升內存芯片產能的計劃，美光表示他們將專注與縮 減內存芯片的制程尺寸，以便提升自己的產品競爭力。不久前，三星公司芯片部門的首腦人物Oh-Hyun Kwon同樣曾公開表態稱內存芯片業者不應盲目表態將增加內存芯片的產量，而是應當把注意力放在提升產品制程工藝方面。而力晶公司主席Frank Huang也呼吁內存業者提升芯片產能時要非常謹慎，以避免犯下和過去一樣的錯誤。
2005年，全球多家內存芯片廠為了擴增
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三星 內存芯片
- 1Gb DDR2/DDR3內存芯片的現貨價格最近雙雙上漲到了接近3美元的價位，顯示目前內存芯片市場仍處于供不應求的緊張局面。據消息來源表示，造成這種局面 的原因主要是內存芯片廠商目前都在實施轉產DDR3芯片的動作;另外一方面，由于PC廠商事先預計到了這種狀況，因此這些廠商事先都采取了較大量訂貨的策 略，而這則進一步加劇了這種危機。
據DRAMeXchange統計，3月18日，打標和eTT(即經過芯片廠商完全測試，但沒有打上原廠激光標記的芯片)1Gb DDR2芯片的價格分別上升了3.97%和4.3
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內存芯片 DDR3
- 2月24日消息，市場研究公司iSuppli預計，今年全球DRAM內存芯片市場增幅將超過40%，也是3年來的首次增長。
據國外媒體報道稱，iSuppli表示，今年全球DRAM內存芯片銷售額將增長至319億美元，2009年、2008年和2007年DRAM內存芯片銷售額分別下滑了3.7%、25.1%和7.5%。
iSuppli分析師邁克·霍華德當地時間上周四說，“今年DRAM內存市場將繼續去年第四季度的增長趨勢，增長40%。”
推動去年第四季度DRAM
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DRAM 內存芯片
- 據臺灣《經濟日報》報道，臺系內存廠商力晶公司決定重啟其在大陸徐州建造8英寸內存芯片廠的計劃，報道稱力晶公司計劃向這間新廠房投資2.93億美元，并 將與當地政府部門和大陸當地企業合作經營這間芯片廠。
與臺積電以及茂德公司類似，力晶公司目前已經獲得了臺灣當局的許可，可以在大陸地區建造8英寸0.18微米及以下級別制程的芯片廠，不過目前為止三家公司中僅有力晶仍未付諸實際行動。
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力晶 內存芯片
- 鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發的42nm制程2Gb DDR3內存芯片產品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別的同類產品已經在鎂光設在Boise的研發中心開始研制。
兩家廠商預計將于今年第二季度開始42nm 2Gb DDR3內存芯片的試樣生產，并將于今年下半年開始量產這種產品。
兩家廠商宣稱其42nm制程DDR3內存芯片產品的工作電壓僅1.35V左右，比前代產品的1.5V工作電壓低了不少，可節省30%電能。
這款42nm 2Gb
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鎂光 內存芯片 DDR3
- 消息人士透露，歐盟監管機構計劃對三星電子、英飛凌、海力士等十家內存芯片廠商提供訴訟，指責這些廠商操控價格，違背歐盟反壟斷法規。
消息人士稱，歐盟委員會的指控有可能在本周或下周做出。三星電子和海力士分別是全球最大和第二大的內存芯片廠商。歐盟將起訴的公司還包括美光、爾必達、NEC電子、日立、東芝、三菱電機和南亞科技。
去年12月份英飛凌就曾透露，歐盟反壟斷機構從2009年2月就開始對英飛凌進行正式調查，懷疑英飛凌在歐洲DRAM產品市場存在反競爭行為。DRAM(動態隨機存取存儲器)芯片被廣泛應用
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三星電子 內存芯片
- 據內存業者透露，由于沉浸式光刻設備的交貨日程有所延長，因此南亞，華亞(南亞與鎂光的合資廠)兩家內存芯片制造商今年轉向50nm級別制程節點的計劃有 可能會后延.而另一家臺系內存芯片廠商瑞晶(力晶與爾必達的合資廠)計劃于今年二月份開始的光刻設備導入計劃也有可能會后延兩個月左右的時間。
而南亞和華亞則澄清稱其購買的沉浸式光刻設備將以分期到貨的形式進場，并宣稱此前進場的設備已經按原計劃完成了進貨。
按南亞和華亞的計劃，他們將于年底前完成向鎂光50nm制程技術的轉換工作，并將于下半年開始試產40nm
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華亞 光刻設備 內存芯片
- 據韓國媒體報道，全球最大內存芯片生產商三星電子今年可能加大對內存芯片的投資，并建立一條新生產線。
報道援引不具名業內人士的話稱，三星電子今年半導體業務的資本支出約為7兆(萬億)韓元(61億美元)。
三星10月曾表示，今年計劃在內存芯片上支出5.5萬億韓元，占半導體業務資本支出的大部分。
報道稱，三星還計劃在國內工廠建立一條新的芯片生產線，這將是該公司多年來首次增設新生產線。
三星發言人拒絕就2010年投資計劃置評，并稱尚未決定是否新增生產線。三星在1月29日公布季報時，預計將就
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三星電子 內存芯片
- 據透露，臺灣內存芯片廠商南亞計劃增加2010年的資本支出預算，將其由原計劃的190億新臺幣提升到200億新臺幣(6.27億美元)，據悉這筆增加的 預算將用于改進制程和擴展產能之用。南亞計劃將其12英寸廠產能由目前的每月3萬片提升到5-6萬片。如果將其合資公司華亞(由鎂光和南亞合資成立)的產能計算在內，那么南亞12英寸總產能將達到每月11.5-12.5萬片，這個數字已達到了全球內存芯片廠總產能的10%左右。
目前華亞12英寸廠的產能有一半是向南亞供貨，另一半則為鎂光公司供貨，這家合資公司的月產能大
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南亞科 內存芯片 50nm
內存芯片介紹
簡單地說:內存之所以能存儲資料,就是因為有了這些芯片!
根據品牌的不同,所采用的芯片亦有所區別,具體的識別辦法是:
具體含義解釋：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——芯片功能K，代表是內存芯片。
第2位——芯片類型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [
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