爾必達：計劃明年轉向40nm制程技術

　　據透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達內存公司計劃明年內轉向使用40nm制程技術，而在40nm制程技術完全成熟之前，爾必達將采 用50nm制程技術作為過渡性的制程技術。目前，爾必達公司剛剛在65nm制程技術基礎上開發出了60nm制程技術。不過爾必達曾計劃直接 跳過50nm制程進入40nm階段，但由于受到經濟危機的影響未能成行。

　　目前韓國三星電子已經在使用40nm 6F2技術生產內存芯片，而到40nm制程技術成熟時，三星還將推出4F2技術。

　　美國鎂光公司則已經在110nm制程中采用了6F2技術，不過他們同樣計劃明年開始使用40nm制程技術，并于同年40nm 6F2技術成熟后啟用4F2技術。

　　臺灣內存廠商部分，南亞以及華亞則有望在采用40nm制程方面走在臺灣同僚的前面。南亞，華亞曾表示會在明年轉向50nm制程。

　　另外，爾必達日前剛剛宣布收購了奇夢達的顯存部門并獲得了該公司有關顯存技術的授權。爾必達與奇夢達2008年曾簽訂共同開發內存技術的協議，按這份協議，兩家公司將共同開發40nm 4F2技術，并在明年推出這項技術。

　　小資料：

　　8F2、6F2、4F2的DRAM技術，是在利用現有的DRAM制程技術上，不增加其他機器設備開發成本下，在相同面積的晶圓片上，透過設計概念的改變方式，增加晶圓的產出顆數，提升產出和成本效率。在同一個世代的制程下，6F2設計概念可比8F2設計增加約15%的晶圓顆數，而4F2又可比8F2技術增加30%產出，因此DRAM廠之要成功做出此款的設計，在不需要增加設備成本之下，可輕易提升生產效率。