集微網消息，據日經新聞報道，尼康公司日前提出半導體光刻設備新的業務發展目標，即到 2026 年 3 月為止的財年，將光刻機年出貨量較目前的三年平均水平提高一倍以上。報道稱，尼康將積極開拓除英特爾以外的其他客戶，特別是日本本土和中國地區客戶，計劃將英特爾在光刻機設備營收中所占比重從 80% 降低到 50%。尼康還將推出適應 3D 堆疊結構器件如存儲半導體、圖像傳感器制造需求的光刻機新產品，已提高其在成熟制程設備市場的競爭力，目前，該公司平均每年售出 16 臺 ArF 光刻機（含二手翻新）。
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在俄羅斯開始對烏克蘭的特別軍事行動之后，西方國家開始對俄羅斯施加各種各樣的制裁。俄羅斯當前面臨嚴峻的商業環境和政治環境，許多信息產業的科技人才紛紛出走，尋找更加安全且有保障的就業環境。根據美媒1日的報道，烏克蘭戰爭爆發以來已經多7萬多名IT技術專家從俄羅斯離開，一些國家向俄羅斯的專業技術人才招手，充實自己的高新技術產業的發展。俄羅斯大量信息技術人才流失的情況已經得到俄羅斯電子通訊協會方面的承認，該協會上周向俄羅斯杜馬委員會遞交的報告之中指出，當前俄羅斯已經流失了5萬到7萬人的科技人才。盡管當前俄羅斯的人才
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全球半導體市場從產能緊張已經轉向過剩，部分領域跌價跌得厲害，比如顯卡、內存及SSD等，這一波芯片價格下滑也會影響廠商的生產計劃，結果就是ASML一度供不應求的EUV光刻機賣不動了，今年出貨量減少15臺。ASML昨天發布了2022年Q2季度財報，當季凈銷售額為54.31億歐元，好于市場預期的52.6億歐元，上年同期為40.20億歐元，同比增長35%。凈利潤為14.11億歐元，上年同期為10.38億歐元，同比增長36%。雖然業績大漲，但是ASML對全年的預期更加悲觀，從之前預期增長20%下調到了增長10%，其
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毫無疑問，如今國內芯片廠商面前最大的障礙就是EUV光刻機，不過EUV光刻機是研制先進芯片的一條路徑，但并非唯一解。 對于國內廠商來說，當前在3D NAND閃存的發展上，就因為不需要EUV機器，從而找到了技術追趕的機會。而在DRAM內存芯片領域，盡管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可來自浙江海寧的芯盟則開辟出繞過EUV光刻的新方案。芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技術的3D 4F2 DRAM架構問世。他指出，基于HITOC技術所開發的全新架構3D 4F2
DRA
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6月17日消息，據外媒報道，臺積電高管周四表示，該公司將在2024年引入荷蘭廠商阿斯麥的最新一代光刻機。 臺積電研發高級副總裁米玉杰在硅谷舉行的技術研討會上表示，“展望未來，臺積電將在2024年引入高數值孔徑的極紫外光刻機，為的是開發客戶所需相關基礎設施和模式解決方案，進一步推動創新。” 米玉杰并未透露新一代光刻機引入后何時用于大規模生產芯片。阿斯麥推出的第二代極紫外線光刻機能用于制造尺寸更小、處理速度更快的芯片。臺積電競爭對手英特爾公司此前表示，將在2025年之前開始使用新一代光刻機生產芯片，并
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佳能將于2022年8月初發售KrF ※1半導體光刻機“FPA-6300ES6a”的“Grade10”產能升級配件包（以下簡稱“Grade10”升級包）。KrF半導體光刻機“FPA-6300ES6a” 自發售至今，已經在生產存儲器和邏輯電路的大型半導體器件制造廠商中收獲良好口碑，此次發布的“Grade10”升級包將助力該設備在300mm晶圓規格基礎上，以每小時高達300片※2晶圓的加工能力實現半導體光刻行業內的更高水平※3。
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5 月 29 日消息，半導體行業花了十多年的時間來準備極紫外線 (EUV) 光刻技術，而新的高數值孔徑 EUV 光刻（High-NA EUV）技術將會比這更快。目前，最先進的芯片是 4/5 納米級工藝，下半年三星和臺積電還能量產 3nm 技術，而對于使用 ASML EUV 光刻技術的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統來說，它們大都具有 0.33 NA（數值孔徑）的光學器件，可提供 13 nm 分辨率。目前來看，這種分辨率尺寸對于 7 nm / 6 nm 節點 (36 nm ~ 38 nm)
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光刻機是半導體芯片制造中的核心設備，日本佳能公司也有光刻機，現在賣得也不錯，推動業績大漲。很多人都知道佳能主業是相機，不過這幾年全球數碼相機業務持續下滑，佳能也難免受到沖擊，最近幾年增長的反而是其他業務，該公司即將發布2022財年（2021年4月到今年3月），預計全年利潤可達2500億日元，約合19億美元或者126億人民幣，比1月份公布的指引高出50億日元，同比大漲20%。推動佳能業績大漲的業務主要是安全攝像頭以及光刻機，而且隨著半導體設備投資的增加，佳能的光刻機業務還會持續增長。從佳能官網上可以查到，該
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ASML公司雖然是荷蘭企業，但不少網友都把ASML公司“美”化了，這里的“美”指的是美國。在華為遭遇到芯片封鎖之前，中國半導體企業就曾向ASML公司支付了定金，采購了一臺EUV光刻機。然而，ASML公司卻遲遲沒有發貨，這也引起了網友的各種猜疑。眾所周知，全世界只有ASML公司能夠生產EUV光刻機，而一部EUV光刻機上就有超過10w的精密零件，各方面的技術也是來自全世界各國的頂尖技術。所以ASML公司的光刻機一直是供不應求。但明明已經收了定金，10億一部的EUV光刻機，ASML公司為何有生意不做呢？大部分的
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光刻機是半導體制造中的核心設備之一，EUV光刻機全球也只有ASML公司能夠研發、生產，但它的技術限制也很多，俄羅斯計劃開發全新的EUV光刻機，使用的是X射線技術，不需要光掩模就能生產芯片。 光刻機的架構及技術很復雜，不過決定光刻機分辨率的主要因素就是三點，分別是常數K、光源波長及物鏡的數值孔徑，波長越短，分辨率就越高，現在的EUV光刻機使用的是極紫外光EUV，波長13.5nm，可以用于制造7nm及以下的先進工藝工藝。 俄羅斯莫斯科電子技術學院 (MIET)現在就接下了貿工部的6.7億盧布資金(約合51
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芯片制造是公認的高科技，但是這也是個非常消耗電力及水力的行業，其中的關鍵設備光刻機就是名副其實的電老虎，EUV光刻機一天就能耗電3萬度以上，導致晶圓生產中電費都是高成本的存在。那國內最大的晶圓制造企業中芯國際到底有多耗電呢？該公司日前也發布了企業責任報告，公布了2021年度的能耗情況，具體如下：2021年，中芯國際能源消耗總量為2,887.69百萬千瓦時，能源消耗強度為12.77千瓦時 /8 吋晶圓當量-光罩數，與 2020年基本相當。簡單來說，中芯國際去年的總能耗大概是28.9億度電，其中直接的電力消耗
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4 月 1 日消息，據日經中文網報道，佳能正在開發用于半導體 3D 技術的光刻機。佳能光刻機新品最早有望于 2023 年上半年上市。曝光面積擴大至現有產品的約 4 倍，可支持 AI 使用的大型半導體的生產。3D 技術可以通過堆疊多個半導體芯片使其緊密連接來提高性能的方式。據介紹，在放置芯片的板狀零部件上，以很高的密度形成以電氣方式連接各個芯片的多層微細布線，佳能就正在開發用于形成這種布線的新型光刻機，過在原基礎上改進透鏡和鏡臺等光學零部件，來提高曝光精度以及布線密度。據稱，普通光刻機的分辨率為十幾微米，但
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當前，芯片問題廣受關注，而半導體工業皇冠上的明珠——以極紫外（EUV）光刻機為代表的高端光刻機，則是我國集成電路（IC）產業高質量發展必須邁過的“如鐵雄關”。如何在短期內加快自主生產高端光刻機的步伐，打破國外的技術封鎖和市場壟斷？筆者認為，應找準關鍵技術，攻克核心設備，躋身上游產業。認清光刻關鍵技術對于光刻機，憑什么美國可以左右荷蘭阿斯麥公司（ASML）EUV光刻機的出海國家？ASML又為什么“愿意”聽從美國的“擺布”？一方面，美國在ASML早期研發階段給予大力扶持，幫助其獲取最新的研究成果；作為繼續扶持
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日前國產芯片廠商格科微宣布成功實現整套ASML光刻機中的關鍵設備——先進ArF光刻機的搬入。據格科微表示，目前，格科微潔凈室已按計劃分階段順利驗收，相關廠務系統配備進展順利，共有六十一臺設備已經搬入。未來，外延、蝕刻、薄膜、清洗等相關設備仍會陸續搬入。格科微表示，ArF光刻機的成功引入，是格科微“12英寸CIS集成電路特色工藝研發與產業化項目”建設的關鍵節點。依托自有工廠即格科半導體的先進制程，格科微將進一步加快先進CIS工藝和高階專利像素的研發速度，并在自有工廠實現批量生產驗證，從而極大縮短高端產品從研
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光刻機介紹
國外半導體設備
我公司擁有國外半導體設備,包括臺灣3S公司生產的光刻機,涂膠臺,
金絲球焊機,電子束蒸發臺。
濺射臺及探針臺等各種設備,世界知名劃片機企業英國Loadpoint公司生產的6英寸--12英寸
精密劃片機，300毫米清洗機,。
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