英特爾美光聯合推出34納米閃存芯片

　　英特爾和美光科技周二發布了用于閃存卡和優盤的高數據容量閃存技術。這兩家公司稱，他們已經開發出了基于34納米技術的NAND閃存芯片，存儲容量為每個儲存單元3比特。這個存儲密度高于目前標準的每個存儲單元2比特的技術，從而將實現高容量的優盤。

　　美光NAND閃存營銷經理Kevin Kilbuck說，雖然在一個存儲單元加入更多比特的數據能夠提供更大的數據密度，但是，這種做法沒有基于更標準的技術的閃存那樣可靠。因此，每個儲存單元3比特的芯片最初將僅限于應用到優盤。優盤沒有要求固態硬盤的那種數據存儲可靠性。固態硬盤一般用于筆記本電腦和服務器的主要存儲設備。

　　半導體市場研究公司Objective Analysis的分析師Jim Handy在本周二發表的研究報告中說，這種芯片不適合所有的市場。這兩家公司解釋說，在他們有信心把這種芯片應用于固態硬件之前，他們還需要更多的大批量生產的經驗。Handy說，固態硬盤用戶記錄數據的頻繁程度要超過為數碼相機購買優盤的消費者。

　　Handy補充說，他預計英特爾-美光芯片到2010年將給三星電子和海力士/Numonyx等閃存市場的其它廠商帶來壓力，并且有可能比競爭對手獲得更多的利潤。

　　美光目前提供這種芯片的樣品，大批量生產將在今年第四季度。

　　SanDisk和東芝今年2月披露稱他們已經開發出每個儲存單元4比特的技術。這兩家公司稱這是閃存行業存儲容量最大的閃存技術。