中芯國際45納米高性能工藝獲得良率驗證

　　中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布45納米高性能工藝在首批完整流程芯片上獲得良率驗證。

　　中芯國際高速、高性能的45納米工藝技術集成硅鍺應力模塊的設計，提升了器件的運行速度，從而適用于更多應用，包括系統級芯片，圖形和網絡處理器，電信和無線消費電子產品，并作為技術平臺，應用于快速成長的中國市場。

　　45納米工藝技術中的低功耗技術驗證成功，使移動設備更具備低功耗的性能。中芯國際已與 IBM 于2007年12月簽訂了45納米 bulk CMOS 技術許可協議，該技術轉移已于2009年3月成功完成。

　　“很高興看到中芯國際45納米項目所取得的進展，從而能夠在嚴格的期限內完成目標，對此我們要向 IBM 團隊給予的強大支持表示由衷的感謝。”中芯國際45納米項目負責人，邏輯技術中心副總經理俎永熙博士表示，“集成了高性能工藝中特有的應變硅流程,并且在首批完整流程芯片上展示了出色的良率，這是我們一個重要的技術成果，使我們可以為客戶提供先進技術的芯片代工服務。”

　　中芯國際的45納米工藝技術以通過認證的 SPICE 模式為支持，擁有內部 IP 設計能力，使客戶能夠盡快開始原型產品的設計并提早計劃產品上市時間。今年6月，中芯國際宣布采用新的 SPICE 模式軟件來設計和驗證45納米 IP 模塊、I/O 電路以及標準單元參數特性化流程。

　　隨著公司65納米低功耗技術開發周期的順利結束，并于最近發布了 IP 產品組合以及通過眾多客戶的產品認證從而進入生產，目前的重點已轉為45納米技術。中芯國際45納米的低功耗和高性能工藝技術應用于設計將使客戶進入到高利潤市場。

　　“45納米高性能工藝在首批完整流程芯片上獲得良率驗證令我們十分振奮和鼓舞，這是中芯戰略計劃中的一個重要里程碑”，中芯國際總裁兼首席執行官張汝京博士表示，“這不僅驗證了 IBM 公司授權的技術，也證明了我們投資于邏輯技術的策略是十分正確的，同時也鞏固了中芯國際作為國內邏輯技術領先者的地位。45納米工藝技術是已被認可的不斷推廣的高收益和高性能的技術，不僅可以為客戶提供更好的性能、可靠性以及更具競爭力的成本，而且還將有助于提升中芯在中國以及全球的競爭力。”