臺積電投資未來 擴充研發、設計核心部門

　　臺積電首場技術論壇率先在舊金山舉行，臺積電總執行長蔡力行以投資未來「Invest to the Future」為題表示，盡管目前確實看到客戶急單需求，但未來依然充滿挑戰，臺積電抱以謹慎樂觀態度。臺積電指出，在此時前景混沌未明之際，將逆勢擴增核心部門，研發團隊將擴充30%人力、設計服務部門也將再增15%員額。臺積電近來確實已經透過內部網站大舉擴充研發與設計專才。

　　不論研發或是設計服務部門，都是臺積電延續往22納米制程技術前進必要的核心領域，臺積電40納米制程已進入量產階段，32納米與28納米制程可能在2009年底進入試產階段，而22納米制程則處于早期研發階段，最快可能2011~2012年才成真，而針對22納米制程臺積電已經與設備商共同研發多重電子束(Multiple e-beam)曝光技術，并移入臺積電研發廠區。

　　蔡力行表示，臺積電投資研發的決心不會改變，事實上包括核心部門的研發團隊、設計服務部門都將逆勢擴增人力，以目前臺積電研發約1,200人看來，未來還將大舉擴充30%人力;而在替客戶設計服務方面，目前已經從2008年增加至600人，未來還將續增15%人力。事實上，臺積電內部網站近日已積極向外征才，在多數半導體廠商裁員的情況下，逆勢吸引、挑選人才的動作引起業界注目。

　　事實上目前半導體產業尚未見到整體復蘇情況，許多半導體業者包括IC設計、IC設備、自動化設計平臺(EDA)業者都大舉裁員，正讓臺積電可以吸收這批專才，為臺積電所選用。臺積電日前針對生產線瘦身，這回再次征才針對研發與設計部門，一減一增之間已達到某種程度的組織結構重整目的。

　　此外，臺積電也展現在利基型生產制程的企圖心，包括推出類比混訊設計套件(design kits)采用先進的65納米制程;以成熟制程的0.11微米半世代制程投入未來200萬、500萬甚至800萬畫素CMOS感測元件;而在6月臺積電的12寸廠也將正式提供矽穿孔(TSV)封測制造服務。如外界所預期的，臺積電也正積極擴充40納米制程設備與產能。