英飛凌宣布與英特爾展開技術合作開發(fā)高密度SIM卡解決方案

　　英飛凌科技股份公司近日在巴黎國際智能卡工業(yè)展(Cartes展)上，宣布與英特爾公司開展戰(zhàn)略技術合作，開發(fā)面向高密度(HD)SIM卡優(yōu)化的芯片解決方案。根據合作協(xié)議，英飛凌將利用英特爾提供的4MB至64MB存儲器打造模塊化芯片解決方案。英飛凌將利用在安全硬件方面的突出技術專長，開發(fā)基于現(xiàn)有SLE 88系列的32位安全微控制器，以應用于HD SIM卡。英特爾將提供領先的閃存技術、功能和制造工藝。

　　這種密切的技術合作可使英飛凌的高密度安全微控制器與英特爾的閃存解決方案實現(xiàn)最佳契合，以高效集成至HD SIM卡中。首批開發(fā)的解決方案的容量將達到64MB，NOR閃存采用65nm和45nm工藝制造。目前，安全微控制器采用適用于智能卡芯片的130納米先進工藝制造。根據ETSI規(guī)范，所有HD SIM卡解決方案的工作電壓范圍均為1.8 V至3.3V。SLE 88系列設計理念允許針對現(xiàn)有SIM卡開發(fā)的操作系統(tǒng)軟件能夠輕松重復利用。

　　2010年HD SIM卡將占到整個SIM卡市場的6%至8%

　　美國市場研究公司Frost & Sullivan預計，到2010年HD SIM卡將約占整個SIM卡市場的6%至8%，其數量將從2007年的大約25億張增至約38億張。

　　Frost & Sullivan市場研究公司智能卡ICT全球項目總監(jiān)Anoop Ubhey表示：“兩家移動應用領域的專業(yè)企業(yè)攜手進行技術合作，將有可能給HD SIM卡市場帶來激動人心的變化。適用于HD SIM卡的NOR閃存和微控制器打開了通向全新業(yè)務模式的大門，為移動網絡運營商開拓了更廣闊的天地。”

　　目前，SIM卡具有網絡安全和基本用戶功能，例如手機的標準電話簿。到2008年底，SIM卡的全新USB接口將能支持其它苛刻的數據密集型移動應用、服務和無線下載。移動網絡運營商(MNO)也需要比目前更高的SIM卡內存容量，以便推出這些服務。NOR閃存預計將成為HD SIM卡的主要內存解決方案。NOR閃存由于尺寸較小，具備較低的價位，使HD SIM卡解決方案可以面向更多的用戶。NOR閃存解決方案可匹配現(xiàn)有的SIM卡槽，可在128MB存儲密度下實現(xiàn)定制，并且無需采用糾錯編碼(ECC)。

　　英特爾閃存產品部總經理Glen Hawk表示：“英特爾與英飛凌的共同愿景是，隨著移動網絡運營商利用多媒體用戶接口和運營商貼標方式推出全新應用驅動型服務，HD SIM卡的需求也將大幅增加。英飛凌與英特爾實現(xiàn)優(yōu)勢整合，將能提供經濟實惠的卓越解決方案，為移動網絡運營商和SIM卡制造商帶來眾多創(chuàng)新特性。”

　　英飛凌科技副總裁兼芯片卡與安全IC業(yè)務部總經理Helmut Gassel博士指出：“安全性、高效能和連通性是英飛凌重點關注的三大領域。要想增強電話簿、定位服務和其它基于智能卡網絡服務器技術的創(chuàng)新應用，基于硬件的安全性能和幾十兆的內存容量是必不可少的。目前，英飛凌正致力提供良好的性能和安全性，支持這些應用。”

　　供貨與封裝

　　英特爾與英飛凌合作開發(fā)的HD SIM卡解決方案樣品預計將于2008年下半年開始供貨，并有望在2009年上半年實現(xiàn)量產。該產品將采用裸晶或芯片卡IC封裝形式提供。