電子元器件知識：IC封裝大全寶典（四）

　　是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN－C(見QFN)。

    25、LGA(landgridarray)

    觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現已實用的有227觸點(1.27mm中心距)和447觸點(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，應用于高速邏輯

    LSI電路。LGA與QFP相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻抗小，對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復雜，成本高，現在基本上不怎么使用。預計今后對其需求會有所增加。

    26、LOC(leadonchip)

    芯片上引線封裝。LSI封裝技術之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結構，芯片的中心附近制作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面附近的結構相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm左右寬度。

    27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)

    薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。

    28、L－QUAD

    陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208引腳(0.5mm中心距)和160引腳(0.65mm中心距)的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產。

    29、MCM(multi-chipmodule)

    多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可分為MCM－L，MCM－C和MCM－D三大類。

    MCM－L是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。

    MCM－C是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使

    用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。

    MCM－D是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al作為基板的組件。

    布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。