力晶用第二座12英寸廠　將導入90納米制程

    6月6日消息，3日力晶12B晶圓廠正式啟用，2000年時其第一座12英寸廠正式動土，董事長黃崇仁便許下諾言，未來投資我國臺灣絕對不會因經濟因素而有所改變，并承諾接下來每2年要再興建1座全新12英寸廠，如今在12A及12B廠相繼完工啟用后，力晶為展現其深耕我國臺灣的決心，未來將再投入約新臺幣2,000億元（約合人民幣530.2億元）建造第三座及第四座12英寸廠，屆時有高達95％比重用于投資我國臺灣市場。 

    據港臺媒體報道，3日黃崇仁于12B廠正式啟用典禮中表示，力晶對深耕我國臺灣市場的決心絕對不會有所改變，雖每年半導體產業經濟起起落落，不過再怎樣波動，還是會依照當初規劃每2年左右在我國臺灣興建1座全新12英寸廠，而正式啟用的12B便是對當初承諾的最佳印證。 

    接下來力晶將在新竹科學園區第三期興建第三座12英寸廠，而第四座12英寸廠亦希望能建置在新竹附近，黃崇仁表示，力晶第一座12英寸廠（12A）月產能已達4.5萬片的滿載水位，至于新啟用的12B廠，估計總投資額將近600億元（約合人民幣159.1億元），擁有1.4萬平方公尺面積的無塵室，預計最大月產能將可達到4萬片，年底前12A加上12B 2廠總產能估計可上看7.5萬片，2006年更將擴充到約10萬片產能。 

    黃崇仁進一步指出，力晶當前所有標準型DRAM產品已全數轉至12英寸廠生產，且是全球DRAM廠中唯一1家，因此對力晶而言，可說擁有絕佳量產成本效益，而接下來2座12英寸廠也將同時專注于NAND型Flash芯片組制造，至于現有的 8英寸廠將逐漸轉為利基型晶圓代工服務。 

    總經理謝再居表示，目前12B廠月產能已達1.5萬片，依力晶規劃，2005年底12B廠投片量將由原先2～2.5萬片提高至3～3.5萬片，而產能擴充到一定程度后，不排除將會獨自挪出一座12英寸廠全數投產NAND型Flash芯片組，估計未來半年到1年時間內，力晶12英寸廠產能將會有約1萬片轉移給瑞薩（Renesas）代工AG-AND型Flash芯片組。 

    至于90納米制程何時投產，黃崇仁則表示，2005年底會進行試產，2006年將開始漸采用90納米量產，然重要的是，即使2005年底還未采用90納米投產DRAM顆粒，但力晶標準型DRAM顆粒包含封裝測試成本，1顆256Mb的DDR顆粒報價將可低于2美元，謝再居也認為，到2005年底前價格只要維持在2.5～2.8美元，對力晶來說算是相當不錯。