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        安森美推出新SOT-723封裝功率MOSFET

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        作者: 時間:2007-02-16 來源: 收藏
         半導體推出采用小型,特別為空間受限的便攜式應用優化的新一代,這些新低臨界值采用半導體領先業內的Trench技術來取得能夠和SC-89或SC-75等大上許多MOSFET器件匹敵的電氣和功率性能表現。

          NTK3134N是一款20 V, 890 mA的N通道MOSFET,NTK3139P則是-20 V, -780 mA的P通道MOSFET,兩款器件在高于200 mA工作電流下的低導通電阻RDS(on)以及1.5 V的低門極電壓讓它們可以通過電源管理ASIC或其他控制器直接控制。

          NTK313xx器件相當適合負載或電源轉換應用和小信號接口切換,內置靜電放電(ESD)保護,這些器件把特殊處理和工序需求減到最低。封裝的1.2 mm x 1.2 mm占位面積比起提供相似性能,采用SC-89或SC-75封裝的MOSFET節省了44%的電路板空間,擁有0.5 mm的低垂直間隙,這些新封裝MOSFET能滿足新一代超薄手持便攜式設備的需求。

          目前兩款器件都已批量生產并供貨,每10,000  
        片的預算批量單價為0.13美元。如需更多信息,請訪問http://www.onsemi.com.cn或聯系郭樹坤(電郵地址: Ricky.Kwok@onsemi.com )。




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