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        TrendForce:經濟前景未明,2016年全球NAND Flash產值增長有限

        作者: 時間:2015-12-16 來源:集微網 收藏

          全球經濟依舊前景不明,各項終端需求廠商態度相對保守,TrendForce旗下存儲事業處DRAMeXchange調查顯示,由于終端設備平均搭載量與固態硬盤(SSD)需求增長,2016年整體需求位量將較2015年增長44%,然而生產端為了快速降低成本以刺激更多的需求,廠商將會加速3D-NAND Flash的開發,整體NAND Flash年度位元產出增長率將大幅增長50%。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/284397.htm

          DRAMeXchange研究協理楊文得表示,2016年NAND Flash產出將大于需求力道,價格下滑幅度也將大于過去兩年。DRAMeXchange預估2016年整體NAND Flash產值僅年增長0.2%,達266億美元,多數NAND Flash供貨商將面臨營運利潤壓縮的挑戰。

          2016年NAND Flash產業趨勢分析如下:

          3D-NAND Flash開發進度為聚焦重點

          2016年是制程轉進以及產品結構轉換的關鍵時期。特別是15/16納米在2015年第三季成為主流制程后,后續制程微縮的空間將面臨瓶頸,再加上三星早已量產3D-NAND Flash并成功打開在SSD的市占率,刺激其他NAND Flash廠商也陸續從今年第四季開始加速3D-NAND Flash的開發。DRAMeXchange預估2016年總晶圓投片量(12寸約當)達到1670萬片,年增長12%,而因3D-NAND Flash的開發加速進行,預估2016年位元供給率將較今年大幅增長50%,為近四年來新高。

          三星的3D-NAND Flash去年開始正式量產,今年憑著積極的價格策略及優異的性能迅速拉開與各家廠商的競爭步伐,迫使其他廠商加速3D-NAND Flash的開發,預期其他廠商3D-NAND Flash的固態硬盤也將在2016年第三季可供系統OEM廠商進行認證流程。楊文得表示,雖然整體3D-NAND Flash的產出比重在今年第四季僅有11%,但2016年可望大幅增長至30%,此舉也將有助于降低固態硬盤的成本來提高系統OEM廠商的固態硬盤滲透率。

          中國廠商布局日趨完整,扮演NAND Flash產業變化的關鍵角色

          楊文得表示,今年中國半導體廠商投資NAND Flash存儲相關公司的腳步加快,以及在NAND Flash上中下游產業鏈的布局日趨完整,未來3-5年中國廠商以及中國市場將對NAND Flash產業的變化扮演關鍵地位。

          在中國政府強力主導下,目前中國以強大的半導體市場吸引力來加大NAND大廠投資建廠規模的成效已開始發酵,如三星西安廠持續擴廠,英特爾也確定將原先邏輯制程的大連晶圓廠轉為生產NAND Flash的半導體廠。DRAMeXchange預估在2016年底前,NAND Flash國際大廠在中國生產的晶圓量占比可來到8%,未來增長的幅度將快速提升。

          終端設備NAND Flash產品平均搭載量攀升,固態硬盤為需求動能亮點

          楊文得表示,全球總體經濟不確定的因素升高影響2016年各項NAND Flash終端需求,在設備端出貨量增長有限的情況下,明年NAND Flash需求面將著重在平均搭載量的增長,又因NAND Flash價格滑落的速度加快,DRAMeXchange預估2016年智能手機的eMMC與消費級固態硬盤(Client-SSD)平均容量將較今年增長30%以上。

          消費級固態硬盤部分,3D-NAND Flash的開發與的普及率提升都加速了固態硬盤價格滑落的速度,也增強個人計算機(PC)廠商的采購與設計意愿,DRAMeXchange統計2015年的筆記本電腦SSD搭載率約為27%,預期2016年年底128GB的固態硬盤將低于500GB的傳統硬盤、256GB的固態硬盤價格也將逼近1TB的傳統硬盤,DRAMeXchange預估2016年筆記本電腦固態硬盤搭載率將突破30%。

          此外,強調及時運算以及效能的數據中心需求量大增,各項云端運算與服務也隨著APP在智能型手機的應用快速增長,整體企業級固態硬盤(Enterprise-SSD)的需求維持強勁的增長態勢。DRAMeXchange預估2016年整體固態硬盤位消耗量份額將到35%,較今年的30%提升不少,成為各NAND Flash終端需求項目中表現最為強勁的種類。



        關鍵詞: NAND Flash TLC

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