新一代功率半導(dǎo)體氧化鎵，開(kāi)始提供外延晶圓

　　日本風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)Novel Crystal Technology公司(總部：埼玉縣狹山市)將于2015年10月開(kāi)始銷售新一代功率半導(dǎo)體材料之一——氧化鎵的外延晶圓(β型Ga2O3)。這款晶圓是日本信息通信研究機(jī)構(gòu)(NICT)、日本東京農(nóng)工大學(xué)和田村制作所等共同研究的成果。Novel Crystal Technology公司是從田村制作所分離出來(lái)的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)，定位于“NICT技術(shù)轉(zhuǎn)移企業(yè)”。該公司的目標(biāo)是2016年度實(shí)現(xiàn)銷售額6000萬(wàn)日元，2020年度實(shí)現(xiàn)銷售額7億日元，2025年度實(shí)現(xiàn)銷售額80億日元。

　　與作為新一代功率半導(dǎo)體材料推進(jìn)開(kāi)發(fā)的SiC(碳化硅)及GaN(氮化鎵)相比，氧化鎵可以低成本制造高耐壓、低損耗的功率半導(dǎo)體元件(以下簡(jiǎn)稱功率元件)，因此頗受關(guān)注。

　　功率器件用的外延晶圓需要具備兩個(gè)條件，一是外延層表面的平坦性，二是控制低載流子濃度區(qū)域的濃度。此次采用了使用臭氧的“臭氧MBE法”成膜法。優(yōu)化了結(jié)晶面的方位、摻雜劑的種類、生長(zhǎng)溫度、原料供應(yīng)量等生長(zhǎng)參數(shù)。能夠?qū)崿F(xiàn)1nm以下的表面粗糙度，并可獲得1016/cm3載流子濃度區(qū)域。現(xiàn)已確認(rèn)利用此次的外延晶圓，可以制造肖特基二極管(SBD)和晶體管。