分析師預言英特爾10納米技術(shù)細節(jié)

　　最近有位半導體產(chǎn)業(yè)分析師針對英特爾(Intel)將在下兩個制程世代使用的技術(shù)，提出了大膽且詳細的預測;如果他的預言成真，意味著晶片龍頭英特爾又將大幅超前其他半導體同業(yè)。

　　這位分析師David Kanter在他自己的網(wǎng)站發(fā)表一篇分析文章(參考連結(jié))，指出英特爾將會在10奈米節(jié)點采用量子阱(quantum well) FET;這種新的電晶體架構(gòu)將會采用兩種新材料──以砷化銦鎵(indium gallium arsenide，InGaAs)制作n型電晶體，以應變鍺(strained germanium)制作p型電晶體。

　　若預測正確，英特爾最快在2016年可開始生產(chǎn)10奈米制程電晶體，且功耗能比其他制程技術(shù)低200毫伏(millivolts);Kanter預期，其他半導體制造業(yè)者在7奈米節(jié)點之前難以追上英特爾的技術(shù)，差距約是兩年。Kanter指出，英特爾可能還要花一年多的時間才會公布其10奈米制程計畫，而他自認其預測有八九成的準確度。

　　英特爾曾在2009年的IEDM會議論文透露其正在開發(fā)的InGaAs制程技術(shù)

　　Kanter的分析文章是根據(jù)對英特爾在年度IEEE國際電子元件會議(IEDM)發(fā)表的數(shù)十篇篇論文研究所得，此外還有英特爾與晶片制造相關(guān)的專利;他在接受EETimes美國版訪問時表示：“我所看到的一切都朝這個方向發(fā)展;問題應該不在于英特爾會不會制作量子阱FET，而是他們會在10奈米或7奈米節(jié)點開始進行。”

　　“在電晶體通道采用復合半導體材料并非只有英特爾一家在研究，但顯然到目前為止沒有人做到像英特爾所發(fā)表的這么多;”Kanter指出：“英特爾在鍺材料方面的論文與專利很少，但該技術(shù)較廣為人知。”此外他預期英特爾會采用純鍺，不過也可能會透過先采用矽鍺(silicon germanium)來達到該目標。

　　Kanter并表示他在發(fā)表分析文章之前，曾提供內(nèi)容給英特爾看;不過該公司婉拒發(fā)表任何相關(guān)評論。