可管理NAND：適用于移動設備的嵌入式大容量存儲
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隨著工藝技術的進步，存儲器密度大約每 12 至 18 個月即提高一倍。對于 NAND 閃存而言，這意味著對多層單元 (MLC) 技術的重視程度日益提高。傳統的單層單元 (SLC) NAND 閃存每個存儲單位能夠存儲一個數據位。MLC 技術能夠實現在單個存儲單元中存放多個數據位，數據的存儲容量達到相同大小 NAND 閃存設備的兩倍。MLC NAND進一步加快了 NAND 閃存的每字節成本，并為新的應用提供了發展空間。市場趨勢顯示MLC 閃存的出貨量在 2007 年初超過了 SLC 閃存。
MLC NAND 的采用，NAND 產品周期的縮短讓系統設計人員的工作越來越復雜。傳統的SLC NAND 閃存，每 512 字節只需要一位錯誤校驗碼，大多數新型嵌入式處理器都可以直接為其提供支持。而現在的 MLC 閃存設備卻不同，需要每 512 字節扇區 4 位校驗碼,將來的 MLC NAND 對 ECC 的要求將超過每 512 字節扇區 8 位校驗。高級 ECC 算法的實現和硬件加速電路對嵌入式處理器和主機系統在設計方面構成了很大的挑戰。
系統設計人員還必須能夠應對 NAND 閃存的快速更新換代，以及不同供應商之間產品功能差別帶來的挑戰。系統設計人員和處理器制造商為跟上 NAND 閃存制造商的步伐必須在硬件和軟件開發方面進行更多資源投入。更為重要的是，額外的開發工作可能會對上市時間產生較大影響。
Micron 可管理 NAND
正確的解決辦法是：采用 Micron 的創新式可管理 NAND 產品。可管理 NAND 閃存將Micron 的高質量低成本 NAND 閃爍存儲器與半高型高速MultiMediaCard. (MMC) 控制器結合在一起，并采用了符合 JEDEC 標準的 BGA 封裝和高級 10 信號接口。
MMC 是一種特征突出的高性能接口，無線消費電子應用中的幾乎所有嵌入式處理器均支持該接口。如果使用 8 位數據總線和標準 BGA，可管理 NAND 支持 52 MB/秒（峰值）的接口速率。因為處理器的接口沒有變化，所以 BGA 中的 NAND 底層技術可以在不影響應用的情況下更改。這種方法能夠延長更高密度解決方案的使用壽命，從而能夠通過一種系統主板設計支持多種元件密度。
可管理 NAND 的另一個主要優勢是消除了對主機處理器上特定供應商閃存固件及驅動程序的依賴（這種依賴性使得主機處理器需要協調程序/擦除/讀取功能并管理壞塊和壞位）從而將標準的 NAND 成為簡單的讀寫設備。主機處理器不必考慮諸如 NAND 塊大小、頁面大小、新增功能、進程產生、MLC 與 SLC、平均讀寫算法以及 ECC 要求等不必要的NAND 功能細節。只要具有工業標準的通用 MMC 設備驅動程序即可讓處理器與 Micron可管理 NAND 以及其它供應商生產的符合相同標準的產品實現無縫配合。
可管理 NAND 設備概念已被提議作為一種行業標準被大家接受。The
MultiMediaCard Association 和 JEDEC 于 2006 年 12 月聯合宣布將 eMMC. 作為此類別閃爍存儲設備的名稱和商標。
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圖 1：NAND 閃存配置可管理 NAND 功能 |
可管理 NAND 是一種具有 MMC 接口的多合一存儲器和控制器設備。它符合MMC 系統規范版本 4.2，并且與 MMCplus.、MMCmobile.、MMCmicro. 以及過去的MMC 完全兼容。
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