電動汽車對電源芯片與功率器件挑戰
加入技術交流群
為了滿足電池和功率管理、以及相關的DC/DC轉換器的要求，IR的HEV方案系列也包括了具備非常低EMI和優化了的開關性能的驅動器及開關。例如最新的DirectFETMOSFET產品便完全不用鍵合線，并且因為消除了大部分的寄生電感，以及具備最小的封裝電阻，所以能夠提供最佳的開關性能。除了領先行業的低導通電阻、卓越的開關性能和增強了的溫度能效(例如雙側散熱)，這款十分先進的無鍵合線芯片尺寸封裝讓設計的體積顯著減小，特別適用于高功率要求或者如HEVDC/DC轉換器這些快速開關應用。
AllegroMicroSystems公司具有故障診斷和報告功能的全橋式MOSFET預驅動器A4940，采用超小型封裝，提供靈活的輸入接口、自舉監控電路、寬泛的工作電壓(5.5至50V)和溫度(40℃至+150℃)范圍。該器件特別針對使用大功率電感負載(如：直流電刷電動機)的汽車應用而設計。
壓電噴射或高強度照明等其它應用需要100V到200V的功率器件和驅動器。而點火IGBT和混合動力電動汽車在使用300V到1,000V以上的IGBT。飛兆半導體公司的柵極驅動器FAN7080x系列，讓工程師開發出在所有操作條件下更準確、精密的燃油噴射控制系統，從而提高燃油效率。這些柵極驅動器在高側和橋驅動器應用中驅動MOSFET和IGBT，如直接燃油噴射系統和電機控制。與市場上同類器件相比，它們的靜態功耗減少一半以上(靜態電流100μA對比240μA)，容許設計人員優化系統和擴大工作范圍。
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率MOSFET作為混合動力汽車的核心技術，吸引功率半導體廠商紛紛瞄準這個龐大的市場。ISuppli曾預測汽車IGBT市場有望以17.2%的年復合增長率高速發展，位居汽車電源管理器件之首，MOSFET市場增長居其次。雖然在未來幾年中混合動力車輛還將只是占據車輛市場的一小部分，但混合動力對逆變器和DC/DC的集中需求將形成市場對IGBT和功率MOSFET的巨大需要。
評論