化學機械拋光 Slurry 的蛻與進

吳國俊博士認為，盡管目前的研磨顆粒仍為SiO2、Al2O3和CeO2為主，但是slurry的整體趨勢朝著更強的化學反應活性、更溫和的機械作用的方向發展。這將促進柔軟研磨顆粒的研發，從而減少在低k絕緣材料表面產生線狀劃痕的可能。在slurry中采用混合型的顆粒，即聚合物與傳統陶瓷顆粒的結合體，在平整度改善以及缺陷度降低方面展示出了良好的前景。

陶瓷顆粒通常具有較強的研磨能力，因此去除率較高，但同時這也會在與硅片接觸點附近產生更強的局部壓強。很多時候，這會導致缺陷的產生。因此，研磨顆粒的形狀變得至關重要（邊緣尖銳的或是圓滑的），而通常這依賴于slurry顆粒的合成工藝。與陶瓷顆粒相反，聚合物顆粒通常比較柔軟，具有彈性且邊緣圓滑，因此能夠將所施加的應力以一種更加溫和、分布均勻的方式傳遞到硅片上。理論上講，帶聚合物外殼的陶瓷顆粒能夠將這兩者的優點完美的結合在一起，因為堅硬的顆粒可以以一種非損傷的方式施加局部應力。這種結合體具有提高研磨移除率、改善平整度、降低缺陷發生率的潛力。

在slurry中添加抑制劑或其它添加劑也是未來slurry發展的趨勢之一。Tim Tobin認為，在IC器件進一步向著體積更小，速度更快的技術要求驅動下，互連技術平坦化要求集中體現在：提高平面度、減少金屬損傷、降低缺陷率。對于銅互連結構來說，由于銅本身無法產生自然鈍化層，發生在寬銅線上的分解或腐蝕力，可能對窄線條產生極大的局部影響，造成嚴重的失效。對于先進的銅互連工藝，slurry中的抑制劑成分至關重要。已有研究人員正在研究采用陰離子吸附的銅鈍化工藝中的熱力學問題。用貴金屬釕作為阻擋層材料可以減少甚至消除對籽晶層的需要，這樣就可以直接在釕的阻擋層上電鍍金屬銅，這也是如今銅互連的研究重點之一。但是，金屬釕在電化學腐蝕中具有更高的驅動力，因此需要更為有效或者濃度更高的陽極抑制劑。此外，向slurry中添加吸附劑也可以使CMP工藝所造成的碟形凹陷得以降低。

越來越平的IC制造是不可逆轉的趨勢，同樣不可逆轉的還有更多的新興材料和集成結構闖入半導體的大家族。當大家還在揣測“摩爾定律的發展如何為繼？”的時候，身處其中的人已經明白：不斷的研發進步乃是最好的應對之策。