- 在早先的技術節點中,由于器件尺寸較大,能采用成核及平整化化學氣相沉積(CVD)技術進行鎢(W)填充。如今,由于插塞處的超小開口很容易發生懸垂現象,因此薄膜表面均勻生長的共形階段可能在填充完成前就關閉或夾斷,從而留下孔洞。
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化學氣相沉積 良率 化學機械拋光
- 岳飛曾說:“陣而后戰,兵法之常,運用之妙,存乎一心。”意思是說,擺好陣勢以后出戰,這是打仗的常規,但運用的巧妙靈活...
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