安森美半導(dǎo)體為T(mén)VS元件和肖特基二極管系列推出低厚度SOD-123FL封裝

安森美半導(dǎo)體副總裁兼標(biāo)準(zhǔn)元件部總經(jīng)理Charlotte Diener說(shuō)：“由于SOD-123FL優(yōu)化電路板空間占用每單位內(nèi)的功率耗散，該封裝是便攜與無(wú)線電路板設(shè)計(jì)所需之TVS元件與肖特基二極管的理想選擇，此類(lèi)設(shè)計(jì)必須符合電源管理和保護(hù)的嚴(yán)格要求。”

SOD-123FL封裝器件可直接替代電路板中的SOD-123（JEDEC DO219）封裝器件，同時(shí)具有更出眾的功率處理能力。比較而言，SOD-123FL封裝的瓦特/ mm2 熱性能比SOD-123提高達(dá)149%，比SMA提高達(dá)90.5%，比PowerMite提高達(dá)26.5%。SOD123FL厚度（最大為1mm）比標(biāo)準(zhǔn)SOD123封裝低25%或以上，非常適宜講究電路板空間的便攜應(yīng)用。

SOD-123FL封裝獨(dú)有的引腳結(jié)構(gòu)以及具有最佳功效的線夾設(shè)計(jì)，允許低正向電壓。附帶線夾的內(nèi)部設(shè)計(jì)比引線粘結(jié)封裝具有更優(yōu)秀的浪涌電流能力，成為瞬態(tài)電壓抑制應(yīng)用的理想封裝選擇。安森美半導(dǎo)體已在新型封裝內(nèi)采用低泄漏電流硅技術(shù)，以更好地節(jié)省能量。

SOD123FL以環(huán)保、無(wú)鉛的封裝平臺(tái)提供更佳性能。該封裝采用100%錫（Sn）涂覆所有外表電鍍面。其在260° C下回焊，達(dá)到1級(jí)潮濕敏感度等級(jí)（MSL），同時(shí)與現(xiàn)有回焊工藝逆向相容。

SOD123FL器件
安森美半導(dǎo)體已推出50款具實(shí)效的SOD123FL封裝標(biāo)準(zhǔn)元件。目前可提供以下器件：
- SMF 5.0：5V至170V的200瓦TVS器件系列。

- MBR120VLSFT1：1安培、20伏肖特基功率整流二極管，具極低正向電壓，可延長(zhǎng)便攜應(yīng)用的電池壽命。

- MBR120LSFT1：1安培、20伏肖特基功率整流二極管，具低正向電壓，可延長(zhǎng)可延長(zhǎng)便攜應(yīng)用的電池壽命。

- MBR120ESFT1：1安培、20伏肖特基功率整流管，具低漏電。

- MBR140SFT1：1安培、40伏肖特基功率整流管，具優(yōu)化的低正向電壓和低泄漏。

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