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        常見LED芯片的特點分析

        作者: 時間:2011-09-10 來源:網絡 收藏
          一、MB

          定義:Metal Bonding (金屬粘著);該屬于UEC 的專利產品。

          特點:

          1:采用高散熱系數的材料---Si 作為襯底、散熱容易。

          2:通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底,同時反射光子,避免襯底的吸收。

          3: 導電的Si 襯底取代GaAs 襯底,具備良好的熱傳導能力(導熱系數相差3~4 倍),更適應于高驅動電流領域。

          4: 底部金屬反射層、有利于光度的提升及散熱

          5: 尺寸可加大、應用于High power 領域、eg : 42mil MB

          二、GB芯片

          定義:Glue Bonding (粘著結合)芯片;該芯片屬于UEC 的專利產品

          特點:

          1:透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底、其出光功率是傳統AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上、藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。

          2:芯片四面發光、具有出色的Pattern

          3:亮度方面、其整體亮度已超過TS芯片的水準(8.6mil)

          4:雙電極結構、其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片

          三、TS芯片

          定義:transparent structure(透明襯底)芯片、該芯片屬于HP 的專利產品。

          特點:

          1:芯片工藝制作復雜、遠高于AS led

          2:信賴性卓越

          3:透明的GaP襯底、不吸收光、亮度高

          4:應用廣泛

          四、AS芯片

          定義:Absorbable structure (吸收襯底)芯片;

          經過近四十年的發展努力、臺灣光電業界對于該類型芯片的研發﹑生產﹑銷售處于成熟的階段、各大公司在此方面的研發水平基本處于同一水準、差距不大。

          大陸芯片制造業起步較晚、其亮度及可靠度與臺灣業界還有一定的差距、在這里我們所談的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等

          特點:

          1:四元芯片、采用 MOVPE工藝制備、亮度相對于常規芯片要亮

          2:信賴性優良

          3:應用廣泛



        關鍵詞: LED 芯片 特點分析

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