ST率先推出SO8窄型封裝的1Mbit串行EEPROM

　　ST推出一款新的1-Mbit串行EEPROM 芯片，這個型號為M24M01的新產品采用微型SO8N封裝，封裝外殼寬度僅為150-mil (3.8mm)；這個串行EEPROM是目前市場上唯一的在如此小的封裝內擠進高密度存儲器芯片的半導體器件。該產品還有一款是采用SO8W封裝，這款產品內置I2C雙線串口，專門為消費電子和醫療設備設計，是保存參數經常被修改的海量數據的理想選擇。存儲密度從1千位一直到1兆位，ST的I2C EEPROM系列是目前市場上的最強大的產品陣容。

　　M24M01支持100 kHz和400 kHz時鐘頻率，全面兼容I2C規范，1.8V到5.5V的寬工作電源電壓。 128-Kbits x 8存儲結構，支持字節和頁式寫模式，寫操作極快，256字節寫操作低于5ms。改進的輸入噪聲過濾功能可以防止器件在電氣噪聲環境中出現亂真寫操作。數據保存能力超過40年，耐擦寫能力不低于100萬次擦寫循環。工作溫度范圍-40℃到+85℃。

　　這個緊湊型產品的高存儲密度歸功于ST先進的0.18微米EEPROM制造工藝。SO8N封裝的尺寸極小,將為數字電視、DVD影碟機、機頂盒和醫療設  
備制造商降低應用中的電路板空間需求提供機會，同時還能擴大設置參數、調諧信息、用戶自定義設置和其它數據的可用存儲空間。.