英特爾與IBM翻新電晶體制造技術 創重大突破

    英特爾和IBM周五宣布在電晶體的研發上獲得40年來最重大的進展之一，可確保微晶片尺寸更小，功率更強大，成功克服了一大障礙。 

    雙方分別以各自的研究，透過使用一種新物質來制造電晶體而達成突破。體積迷你的電晶體是制造微晶片的基礎物質。 

    這項科技運用到一層透過電晶體調節電流的物質。 

    產業顧問公司VLSIResearch負責人哈契遜(DanHutcheson)說，「就電晶體而言，基本物質自1960年代以來就不曾改變過。因此這是非常大的突破」。 

    「摩爾定律(Moore’sLaw)已快要不適用了，」他補充說。所謂摩爾定律是英特爾的共同創辦人摩爾(GordonMoore)提出的業界金科玉律，即晶片上的電晶體數目大約每兩年會增加一倍。 

    摩爾定律的結果是晶片越來越小，速度越來越快，并擴展到林林總總的消費性產品，如今這些產品占該產業2,500億美元年度營收的絕大部份。 

    最新的突破意味著，英特爾、IBM和其他公司將能利用小至45奈米的電路系統制造下一代晶片。45奈米大約相當于一根人類頭發寬度的兩千分之一。 

    英特爾表示，預定今年稍後推出的處理器將利用新科技制造，而此新科技是基于一種叫做鉿(hafnium)的銀白色金屬。該公司希望這能使他們在和對手AMD的競爭中占到優勢。 

    IBM則預期在明年推出由其盟友利用此技術制造的晶片。其盟友包括AMD和日本的東芝。