武漢新芯：定位存儲器制造，兩年后或推3D NAND

　　武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨立經營，是國有制企業。為了區別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲器制造。近日，武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。

　　NOR Flash制造領先

　　這是由于武漢新芯的最大客戶來自于NOR閃存。XMC成立之初，曾委托SMIC進行經營管理，當時XMC就開始為Spansion代工NOR閃存。目前NOR有兩大技術體系，一類是ETOX，是Floating-Gate(浮柵)技術;另外是與Spansion合作的MirrorBit技術。XMC已經成功的大規模量產了90、65和45nm的NOR Flash產品，目前正在進行32nm工藝技術的研發，今年8月底關鍵設備浸沒式光刻機已經到位，預計2015年底實現大規模量產。

　　XMC擁有全球最領先的NOR Flash制造技術和研發儲備。2010年，全球第一款基于65nm，4Gb NOR Flash芯片在XMC大規模量產;2012年，XMC成為全球首家成功研發45nm NOR Flash的公司;2013年，XMC全球首發45nm，8Gb NOR Flash產品;XMC是全球唯一一家正在研發32nm NOR Flash的公司。

　　然而，NOR整體的市場容量有限，全球年銷售收入僅為30多億美元的。尤其是在高容量的NOR Flash方面，其市場受到低容量NAND Flash的侵蝕。目前XMC月產能規模維持在1.2萬片12寸晶圓。

　　3D NAND是切入點

　　因此，武漢新芯又把眼光落到了閃存的另一重大分支——NAND Flash上，尤其是3D NAND。“目前2D NAND Flash已經進入1Xnm時代，幾近于其物理極限，微縮的成本和工藝難度都急劇上升。據市場預測，從2016年起，2D NAND將會被迅速取代，3D NAND快速增長。”王繼增預計。目前三星剛推出樣品，估計2014年量產，2015年年底大批量投產。“我們預計用兩年多時間做出來3D產品。”

　　之所以選擇3D NAND，首先當前全球NAND閃存將近400億美元規模，國內的用量超過全球總用量的50%，市場非常可觀。另外，3D是一個完全不同的技術方向，相對于2D NAND對微縮技術的要求，3D NAND的關鍵技術是極度復雜的刻蝕和薄膜工藝。因此，用于45nm工藝的浸沒式光刻機即可滿足3D的微縮工藝要求，45nm工藝是XMC成熟的工藝。再有，美光和SK海力士也是剛剛開始研究該技術，大家站在同一起跑線上。

　　欲成為ISM(集成的次系統組件制造商)

　　受到IDM(集成器件制造商)商業模式的啟發，武漢新芯提出了一個新概念——ISM(集成的次系統組件制造商)，主要是采用新的商業模式，推動國內3D NAND產業的發展。考慮到國內的封裝和測試業相對成熟，XMC的主要精力僅放在3D NAND 產品的設計、制造與次系統組件產品(SSD, eMMC，eMCP)應用方面，不再投資封裝和測試領域。

　　為何現在不做DRAM?

　　王繼增解釋道，DRAM過去依靠PC來推動其發展，但是，隨著移動裝置的迅速發展，PC市場已經出現了萎縮的苗頭。Mobile DRAM是當下的發展熱點。不同于NAND Flash正處于一個從2D向3D過渡的轉折時期，DRAM技術的發展依然靠傳統的微縮技術，在此方面，美光、三星等SK海力士等已經占據了市場的主導地位，形成了很高的技術和市場壁壘。所以，目前XMC不會切入DRAM市場。