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        大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統中

        作者: 時間:2005-02-22 來源:網絡 收藏
        摘要:隨著嵌入式系統產品的發展,對存儲設備的要求也日益增強。文章以東芝的 E2PROM器件TC58DVG1F00為例,闡述了 的基本結構和使用方法,對比了和NOR 的異同,介紹了容量NAND 在嵌入式系統中的應用方法,以及如何在Linux操作系統中加入對NAND Flash的支持。

        關鍵詞:嵌入式 NAND Flash Linux 內核 TC58DVG1F00

        1 NAND和NOR flash

        目前市場上的flash從結構上大體可以分為AND、NAND、NOR和DiNOR等幾種。其中NOR和DiNOR的特點為相對電壓低、隨機讀取快、功耗低、穩定性高,而NAND和AND的特點為容量大、回寫速度快、芯片面積小。現在,NOR和NAND FLASH的應用最為廣泛,在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards、MMC存儲卡以及USB閃盤存儲器市場都占用較大的份額。

        NOR的特點是可在芯片內執行(XIP,eXecute In Place),這樣應該程序可以直接在flash內存內運行,不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高,但寫入和探險速度較低。而NAND結構能提供極高的單元密度,并且寫入和擦除的速度也很快,是高數據存儲密度的最佳選擇。這兩種結構性能上的異同步如下:

        *NOR的讀速度比NAND稍快一些。

        *NAND的寫入速度比NOR快很多。

        *NAND的擦除速度遠比NOR快。

        *NAND的擦除單元更小,相應的擦除電路也更加簡單。

        *NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數量否萬次,而NOR的擦寫次數是十萬次。

        此外,NAND的實際應用方式要比NOR復雜得多。NOR可以直接使用,并在上面直接運行代碼。而NAND需要I/O接口,因此使用時需要驅動程序。不過當今流行的操作系統對NAND Flash都有支持,如風河(擁有VxWorks系統)、微軟(擁有WinCE系統)等公司都采用了TrueFFS驅動,此外,Linux內核也提供了對NAND Flash的支持。

        2 大容量存儲器TC58DCG00

        2.1 引腳排列和功能

        TC58DVG02A 00是Toshiba公司生產的1Gbit(128M8Bit)CMOS NAND E2PROM,它的工作電壓為3.3V,內部存儲結構為528 bytes32pages8192blocks。而大小為528字節,塊大小為(16k+512)字節。其管腳排列如圖1所示。各主要引腳如下:

        I/O1~I/O8:8個I/O口;

        CE:片選信號,低電平有效;

        WE:寫使能信號,低電平有效;

        RE:讀使能信號,低電平有效;

        CLE:命令使能信號;

        ALE:地址使能信號;

        WP:寫保護信號,低電平有效;

        RY/BY:高電平時為READY信號,低電平時為BUSY信號。

        2.2 與ARM處理器的連接

        當前嵌入式領域的主流處理器當屬ARM。圖2是以ARM7處理器為例給出的NAND Flash與ARM處理器的一般連接方法。如前所述,與NOR Flash不同,NAND Flash需要驅動程序才能正常工作。

        圖中PB4,PB5,PB6是ARM處理器的GPIO口,可用來控制NAND Flash的片選信號。CS1是處理器的片選信號,低電平有效。IORD、IOWR分別是處理器的讀、寫信號,低電平有效。寫保護信號在本電路中沒有連接。

        2.3 具體操作

        地址輸入,命令輸入以及數據的輸入輸出,都是通過NAND Flash的CLE、ALE、CE、WE、RE引腳控制的。具體方式如表1所列。

        表1 邏輯表

         CLEALECEWERE
        命令輸入100時鐘上升沿1
        數據輸入000時鐘上升沿1
        地址輸入010時鐘上升沿1
        串行數據輸出0001時鐘下降沿
        待機狀態XX1XX

        NAND Flash芯片的各種工作模式,如讀、復位、編程等,都是通過命令字來進行 控制的。部分命令如表2所列。

        表2 命令表

         第一周期(Hex)第二周期(Hex)
        串行數據輸入80
        讀模式100
        讀模式201
        讀模式350
        復位FF
        自動編程(真)10
        自動編程(假)11
        自動塊刪除60D0
        狀態讀取170
        狀態讀取271
        ID讀取190
        ID讀取291

        串行數據輸入的命令80表示向芯片的IO8、IO7、IO6、IO5、IO4、IO3、IO2、IO1口發送0x80,此時除IO8為1外,其余IO口均為低電平。

        2.4 時序分析及驅動程序

        下面以表2中的讀模式1為例分析該芯片的工作時序。由圖3可知,CLE信號有效時通過IO口向命令寄存器發送命令00H。此時NAND Flash處于寫狀態,因此WE有鏟,RE無效。發送命令后,接著發送要讀的地址,該操作將占用WE的1、2、3、4個周期。注意,此時發送的是地址信息,因此CLE為低,而ALE為高電平。當信息發送完畢后,不能立刻讀取數據,因為芯片此時處于BUSY(忙)狀態,需要等待2~20ms。之后,才能開始真正的數據讀取。此時WE為高電平而處于無效狀態,同時CE片選信號也始終為低以表明選中該芯片。

        這段時序的偽代碼如下:

        Read_func(cmd,addr)

        {

        RE=1;

        ALE=0;

        CLE=1;

        WE=0;

        CE=0;

        Send_cmd(cmd);//發送命令,由參數決定,這里為00

        WE=1; //上升沿取走命令

        CE=1;

        CLE=0; //發送命令結束

        ALE=1; //開始發送地址

        For(i=0;i4;i++)

        {

        WE=0;

        CE=0;

        Send_add(addr);//發送地址

        WE=1; /上升沿取走地址

        CE=1;

        }

        //所有數據發送結束,等待讀取數據

        CE=0;

        WE=1;

        ALE=0;

        Delay(2ms);

        While(BUSY)

        Wait;//如果還忙則繼續等待

        Read_data(buf);//開始讀取數據

        }

        3 Linux系統對NAND Flash的支持

        Linux操作系統雖然已經支持NAND Flash,但要使用NAND Flash設備,還必須先對內核進行設置方法如下:

        (1)在/usr/src/(內核路徑名)目錄中輸入make menuconfig命令,再打開主菜單,進入Memory Technology Devices(MTD)選項,選中MTD支持。

        (2)進入NAND Flash Device Drivers選項,NAND設備進行配置。不過此時對NAND的支持僅限于Linux內核自帶的驅勸程序,沒有包含本文介紹的Toshiba芯片,為此需要對Linux內核進行修改,方法如下:

        (1)修改內核代碼的drivers.in文件,添加下面一行:

        dep-tristate 'Toshiba NAND Device Support'CONFIG-MTD-TOSHIBA $CONFIG-MTD

        其中CONFIG-MTD-TOSHIBA是該設備的名稱,將在Makefile文件中用到。

        $CONFIG-MTD的意思是只有選有$CONFIG-MTD時,該菜單才會出現,即依賴于$CONFIG-MTD選項。宋,Toshiba的NAND設備將被加入Linux系統內核菜單中。

        (2)修改相應的Makefile文件,以便編譯內核時能加入該設備的驅動程序。

        obj-$(CONFIG-MTD-TOSHIBA)+=toshiba.o

        此行語句的意思是如果選擇了該設備,編譯內核時加入toshiba.o(假設驅動程序是toshiba.o),反之不編譯進內核。



        關鍵詞: Flash NAND 02A 1FT

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