ASML：現有技術能實現1nm工藝

　　5月17日消息，為了強調光在推進科學進步過程中的重要作用，聯合國教科文組織將每年的5月16日定為“國際光日”。5月13日，ASML在一篇公眾號文章中稱，現有技術能實現1nm工藝，摩爾定律可繼續生效十年甚至更長時間。

　　ASML稱，在半導體領域，摩爾定律——這一誕生于1965年的前瞻推斷，就扮演著如同光一樣的角色，指引芯片制造的每一次創新與突破。在過去的50多年里，摩爾定律不斷演進。摩爾關于以最小成本制造復雜芯片的最初預測，也在演進過程中被轉述成各種各樣的表述，現在這個定律最常被表述為半導體芯片可容納的晶體管數量呈倍數增長。1975年，摩爾修正了自己的預測：晶體管數量翻倍的時間從最初的一年上升到兩年。

　　摩爾認為，增加芯片面積、縮小元件尺寸以及優化器件電路設計是實現晶體管數量翻倍的三個重要因素。

　　ASML稱，在過去的15年里，很多創新方法使摩爾定律依然生效且狀況良好。從整個行業的發展路線來看，它們將在未來十年甚至更長時間內讓摩爾定律繼續保持這種勢頭。在元件方面，目前的技術創新足夠將芯片的制程推進至至少1納米節點，其中包括gate-all-around FETs，nanosheet FETs，forksheet FETs，以及complementary FETs等諸多前瞻技術。此外，光刻系統分辨率的改進（預計每6年左右縮小2倍）和邊緣放置誤差（EPE）對精度的衡量也將進一步推動芯片尺寸縮小的實現。

　　ASML稱，只要我們還有想法，摩爾定律就會繼續生效。