Soitec與Qualcomm Technologies簽署合作協議，為5G射頻濾波器大規模生產POI襯底

半導體材料創新、設計和生產全球領軍企業,法國Soitec半導體公司今日宣布與Qualcomm Technologies, Inc.簽署合作協議,為其供應壓電(POI)襯底以用于4G和5G射頻濾波器。

協議指出Soitec將確保為Qualcomm Technologies公司新一代射頻濾波器供應POI襯底

Soitec已與Qualcomm Technologies合作多年,本次與其簽訂此協議,將為Qualcomm Technologies的射頻濾波器大規模生產POI襯底,以用于智能手機射頻前端模塊。

“憑借我們突破式創新的薄膜式SAW技術,以及Qualcomm^?ultraSAW 射頻濾波器產品,我們將繼續突破移動技術的邊界,”Qualcomm高級副總裁兼射頻前端業務總經理Christian Block表示,“與Soitec的協議對于確保高性能POI襯底的供應,以及滿足OEM客戶對高性能Qualcomm^? ultraSAW射頻濾波器產品的需求至關重要。通過Soitec基于Smart CutTM技術的POI襯底,與Qualcomm Technologies濾波器的設計和系統相結合,可以保證帶有多濾波器功能的多工器芯片的高良率。”

Soitec的POI襯底在射頻濾波器上具有獨特價值

POI是通過Soitec專利技術 150 mm Smart CutTM打造的創新型優化襯底。POI以高阻硅作為基底、上覆氧化埋層,并以一層極薄且均勻的單晶壓電層覆蓋頂部。Soitec的POI襯底用于構建最新一代的4G/5G表面聲波(SAW)濾波器,具有內置溫度補償的性能。

“這項協議是Soitec和Qualcomm Technologies公司合作的結果。Soitec的POI襯底現在是Qualcomm Technologies為移動設備提供的5G產品的重要組成部分,我們對此感到非常高興。”Soitec全球業務部門高級執行副總裁Bernard Aspar博士說,“Soitec長期服務射頻市場,有著豐富的經驗,尤其是RF- SOI有著極高的出貨量。基于我們強大的Smart CutTM技術,我們有信心能夠大批量生產POI襯底,使其成為5G射頻濾波器的標準材料。”