- 4年前的2016年，國家在武漢建設了國家存儲器基地項目一期，不僅量產了64層閃存，今年初還研發成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區未來科技城正式啟動，整個項目投資高達240億美元，約合1697億元。在開工儀式上，紫光集團、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的存儲器芯片工廠，實現了技術水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開工，計劃分兩期建設3D NAND
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國產 128層 QLC 閃存
- 近日消息 根據guru3D的報道，隨著NAND閃存技術的創新發展，固態硬盤TB內存時代即將到來，SK海力士現已推出了第一批基于其128層4D NAND產品樣品。
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SK 4D NAND 128層
- SK海力士于26日宣布，將量產全球首款128層的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND閃存，并計劃下半年開始銷售。
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SK海力士 4D NAND 128層
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