傳Intel 2021年用上臺積電6nm 2022年直接上馬3nm工藝

在半導體工藝上,Intel的10nm已經量產,但是官方也表態其產能不會跟22nm、14nm那樣大,這或許是一個重要的信號。此前業界多次傳出Intel也會外包芯片給臺積電,最新爆料稱2022年Intel也會上臺積電3nm。

來自業界消息人士@手機晶片達人的爆料稱,Intel預計會在2021年大規模使用臺積電的6nmn工藝,目前正在制作光罩(Mask)了。

在2022年Intel還會進一步使用臺積電的3nm工藝代工。

在更早的爆料中,手機晶片達人指出Intel 2021年開始外包外公的主要是GPU及芯片組,還警告說2021年蘋果、海思、Intel及AMD會讓產能非常緊張。

假如Intel真的打算擴大外包,除了已經部分外包的芯片組之外,首當其沖的就是GPU,因為GPU相對CPU制造來說更簡單一些,而且臺積電在GPU制造上很有經驗。

結合之前的消息來看,Intel的Xe架構獨顯DG1使用的是自家10nm工藝制造,今年底上市,擁有96組EU執行單元,一共是768個核心,基礎頻率1GHz,加速頻率1.5GHz,1MB二級緩存以及3GB顯存,TDP為25W。

預計DG1的性能與GTX950相當,比GTX 1050則差了15%左右,總體定位不高,適合高能效領域,尤其是筆記本GPU。

DG1之后還會有DG2獨顯,這就是一款高性能CPU了,之前爆料DG2會用上臺積電的7nm工藝,現在來看應該是7nm改良版的6nm工藝了。

不過2021年Intel自己的7nm工藝也會量產,官方早已宣布用于數據中心的Ponte Vecchio加速卡會使用自家的7nm EUV工藝。