AI、5G和大內存在數據時代并列稱王

　　集成電路設計領域的“世界奧林匹克大會” ISSCC 一貫是全球半導體設計領域的一個盛會，根據官網最新的預告頁面顯示，ISSCC 2019的重頭戲將不再聚焦摩爾定律和微處理器，而機器學習、高速網絡和大內存則在這個數據時代并列稱王。

　　三星和英特爾將詳細介紹5G/LTE組合芯片;在快閃記憶體(NAND Flash)方面，東芝將展示一款1.33太比特芯片，西部數據公司將談論一款有128個芯片層的處理器;在DRAM方面，海力士和三星會匯報DDR5和LPDDR5的情況，另外三星也將單獨展示一款用于智能手機深度學習的加速器。

　　三星的深度學習加速器在0.5伏電壓下的速度高達11.5TOPS，僅占據8nm處理器5.5mm2的面積，以雙核設計封裝了1,024個乘累加單元，性能與以往技術相比提升了10倍。東芝16nm的SoC適用于機器車，一個面積僅為94.52mm2的晶粒就囊括了10個處理器、4個DSP和8個加速器，能釋放20.5 TOPS的速度，其圖像識別滿足ASIL-B的安全等級，控制處理器滿足ASIL-D的安全等級。

　　今年的ISSCC沒有關于5nm工藝SRAM芯片的論文發布，盡管有少量關于7nm高速網絡集成芯片討論，而過去的突破中也沒有出現涉及旗艦CPU的論文。負責微處理器演示會議的一名組織者表示，他們并不認為這會是一個持續的趨勢，但這表明了該行業在產品周期中的地位。

　　ISSCC邀請了IBM工程師來講解目前世界上最強大的超級計算機Sierra，處理器演示會議上還將詳解一篇有趣的論文，一款功率范圍在37-238mW和睿頻在80-365MHz的機器人控制器，這款控制器搭載英特爾22nm處理器，旨在與SOI晶片一較高下。

　　臉譜網AI研究部負責人將講述如何利用卷積神經網絡實現無監督學習，使機器像人類一樣自主地從環境中學習。而內存計算作為AI加速的研究熱點，清華大學的一款芯片在使用電阻式RAM時的二進制運算性能達到53.17 TOPS/W，而操作延遲只有14.6ns。