MSP430FR59x：超低功耗嵌入FRAM MCU開發(fā)方案

　　TI公司的MSP430FR59x系列是超低功耗(ULP)嵌入FRAM的MCU，16位RISC架構(gòu)高達(dá)16MHz時(shí)鐘，工作電壓1.8V~3.6V，多達(dá)64kB非易失存儲器工作模式功耗約為100 µA/MHz，待機(jī)模式功耗為0.4µA，關(guān)斷時(shí)功耗為0.02µA。器件主要用在儀表、能量收獲傳感器節(jié)點(diǎn)、可穿戴電子、傳感器管理和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中。

　　MSP430超低功耗(ULP)的FRAM平臺，結(jié)合了獨(dú)特的嵌入式FRAM，和整體的超低功耗系統(tǒng)架構(gòu)，使得創(chuàng)新者可以在降低能耗的同時(shí)提高性能。 FRAM技術(shù)結(jié)合了速度、靈活性、耐久性、SRAM的穩(wěn)定性和閃存可靠性，并且，大大降低了功耗。

　　MSP430的超低功耗FRAM產(chǎn)品，包括了FRAM的各種應(yīng)用設(shè)備，配備了超低功耗16位MSP430單片機(jī)CPU，和智能外設(shè)多樣化的應(yīng)用。其超低功耗架構(gòu)展示了7種低功耗模式，并進(jìn)行優(yōu)化，以延長電池使用壽命，應(yīng)對能源挑戰(zhàn)。

　　圖1 MSP430FR59x系列功能框圖

　　MSP430FR59x主要特性

　　•嵌入式微控制器

　　-16位RISC架構(gòu)高達(dá)16MHz的時(shí)鐘

　　•寬電源電壓范圍(1.8V~3.6V)

　　•優(yōu)化的超低功耗模式

　　-主動(dòng)模式：約100μA/MHz

　　-待機(jī)(LPM3，以及VLO)：0.4μA(典型值)

　　-實(shí)時(shí)時(shí)鐘(LPM3.5)：0.25μA(典型值)

　　-關(guān)機(jī)(LPM4.5)：0.02μA(典型值)

　　•超低功耗鐵電存儲器(FRAM)

　　-最高64kB非易失性存儲器

　　•超低功耗寫入

　　-快速寫入，每字125ns(64kB in 4ms)

　　-統(tǒng)一內(nèi)存=程序+數(shù)據(jù)+存儲在一個(gè)單一的空間

　　- 1015寫周期耐力

　　圖2 評估模塊MSP-EXP430FR5969功能分布圖

　　•耐輻射和非磁性

　　•智能數(shù)字外設(shè)

　　- 32位硬件乘法器(MPY)

　　-三通道內(nèi)部DMA

　　•實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)，日歷和鬧鐘功能

　　- 5個(gè)16位定時(shí)器，多達(dá)七個(gè)捕捉/比較寄存器(每個(gè))

　　- 16位循環(huán)冗余檢查(CRC)

　　•高性能模擬

　　- 16通道模擬比較器

　　- 12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)，帶有內(nèi)部參考和多達(dá)16個(gè)采樣保持器

　　•外部輸入通道

　　-多功能輸入/輸出端口

　　-所有的引腳支持電容式觸摸功能，無需外部元件

　　-可接入位，字節(jié)和字為單位(成對)

　　•邊緣可選喚醒(所有端口的LPM)

　　圖3 評估模塊MSP-EXP430FR5969電路圖(1)