3GHz+！三星將基于5nm/7nm打造采用ARM A76架構的IP

　　三星的7nm工藝，選擇直接導入先進的EUV(極紫外光刻)技術，由此在進度上稍顯吃虧，尤其是落后自己的“宿敵”臺積電。

　　在6月初ARM宣布新的Cortex A76公版架構時，樣片就是由臺積電的7nm打造，當時頻率最高達到了3.3GHz，參考值也達到了3GHz。

　　這種局面，三星當然不會坐視。

　　三星電子在韓國舉辦的鑄造論壇期間宣布，和ARM(安謀)的戰略級代工合作推進到7nm/5nm上。具體來說，由三星7nm LPP和5nm LPE打造的A76芯片可以實現3GHz以上的頻率。

　　臺積電版ARM A76性能效果圖

　　三星還透露，7LPP將從2018年下半年開始早期生產，采用EUV技術的IP預計明年上半年完工。

　　除了CPU和GPU，三星還拿到了ARM的Artisan physical IP授權，包括全套的內存編譯器、1.8V/3.3V通用輸入輸出庫等等，可加速開發過程、優化開發結果。

　　另外，三星還確認其路線圖推進到了3nm GAAE(Gate-All-Around Early)工藝。

　　那么問題了，除了Exynos，三星的7nm A76芯片會有高通、華為這些客戶嗎?