3D SiC技術(shù)閃耀全場，基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注

　　6月26日-28日，基本半導(dǎo)體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。

　　基本半導(dǎo)體展臺以充滿科技感和未來感的藍(lán)白為主色調(diào)，獨有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國內(nèi)外參展觀眾的眼球。

　　全球獨創(chuàng)3D SiC?技術(shù)

　　展會期間，基本半導(dǎo)體技術(shù)團隊詳細(xì)介紹了公司獨創(chuàng)的3D SiC?外延技術(shù)，該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過外延生長結(jié)構(gòu)取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應(yīng)用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設(shè)計靈活性也有利于實現(xiàn)高電流密度的高壓器件。

　　碳化硅肖特基二極管

　　基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，具有優(yōu)越的性能和極高的工作效率。其中650V、1200V和1700V 的肖特基二極管采用特有的嵌入式結(jié)構(gòu)，反向漏電流比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)低3個數(shù)量級，更利于高溫(250℃)環(huán)境下工作，抗浪涌電流能力強，正向壓降低，各項性能達(dá)到國際先進(jìn)水平。

　　碳化硅MOSFET

　　基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET具有低的 RDS(ON)，開關(guān)性能優(yōu)良，可提高器件工作效率，減小芯片面積。同時能在更高的開關(guān)頻率下，通過更低的熱損耗實現(xiàn)高效率。碳化硅 MOSFET可在電機驅(qū)動器、開關(guān)電源、光伏逆變器和UPS等領(lǐng)域廣泛使用。

　　基本半導(dǎo)體生產(chǎn)的碳化硅外延片低摻雜層厚度可高達(dá)250μm，具有極低的缺陷密度和高均勻性，可生產(chǎn)3.3千伏以上的高壓器件和1萬伏以上的超高壓器件，主要應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、醫(yī)療設(shè)備和國防軍工等領(lǐng)域。

　　此外，基本半導(dǎo)體研發(fā)的全碳化硅模塊和混封碳化硅模塊也在展會一一亮相，參觀人流絡(luò)繹不絕。

　　基本半導(dǎo)體副總經(jīng)理張振中博士在同期舉行的電力電子應(yīng)用技術(shù)論壇發(fā)表主題演講，介紹公司高性能的3D SiC JBS Diode，吸引了眾多業(yè)內(nèi)人士的關(guān)注，在演講結(jié)束后與張博士進(jìn)行了深入交流和探討。

　　PCIM Asia 2018已經(jīng)完美落幕，基本半導(dǎo)體將在推動中國第三代半導(dǎo)體發(fā)展的征途中繼續(xù)揚帆起航，凝心聚力鑄就輝煌。