這款國產(chǎn)存儲器芯片，速度將是現(xiàn)在的1000倍

　　據(jù)報道，華中科技大學(xué)光電學(xué)院副院長繆向水及其團(tuán)隊正在研制一款基于相變存儲器的3D XPOINT存儲技術(shù)。他估計，在這項技術(shù)基礎(chǔ)上研發(fā)的芯片，其讀寫速度會比現(xiàn)在快1000倍，可靠性也將提高1000倍。

　　“芯片是信息社會的糧食，其中存儲器芯片是應(yīng)用最廣泛的，市場最大的芯片，所有的電子產(chǎn)品，包括手機(jī)、相機(jī)、電腦都離不開它。當(dāng)前，我國每年進(jìn)口額高達(dá)2600億美元，其中的四分之一是存儲器，95%的存儲器芯片依靠進(jìn)口。”繆向水指出。

　　而要打破這一現(xiàn)狀，并不容易。

　　“芯片是一個高度復(fù)雜的科技產(chǎn)品，5毫米見方的硅片上，電路只有頭發(fā)的幾百分之一粗細(xì)，肉眼無法看到，每個存儲器加工過程有66步工藝，一步都不能錯，且芯片加工設(shè)備昂貴，流片出錯的成本極高，一不小心損失可達(dá)上千萬元。”他解釋道。

　　據(jù)悉，當(dāng)記者于晚上10點抵達(dá)實驗室時，繆向水及其100人的團(tuán)隊依然在挑燈夜戰(zhàn)，全力研發(fā)“下一代存儲芯片”。

　　此外，在4月上旬，長江存儲武漢基地也正式引進(jìn)了芯片生產(chǎn)機(jī)，這也標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。中國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層 3D NAND閃存芯片很可能將于年內(nèi)量產(chǎn)。