SK海力士今年投資規模上看62億美元 致力于技術提升

　　以往半導體產業的競爭要素在產能擴大與降低成本，但制程愈趨于先進，研發難度提高，投資規模擴大不保證能帶來對等獲利。面對產業環境改變，SK海力士(SK Hynix)期盼借由技術創新開拓全球市場。

　　據韓媒每日經濟報導，SK海力士計劃在2017年下半提高10納米級DRAM生產比例，并持續增加14納米NAND Flash產量，以取得更具優勢的成本競爭力，提高事業獲利性。

　　SK海力士將持續以大規模研發投資提高技術競爭力。

　　資通訊技術發達帶動存儲器需求成長，移動裝置用DRAM及NAND Flash產品的容量持續增加，用于大數據及云端資料中心的服務器DRAM、固態硬碟(SSD)需求激增，人工智能(AI)、深度學習(Deep Learning)的技術發展更是帶動存儲器需求擴大的市場利基。

　　2017年1月SK海力士推出LPDDR4X，是全球最高容量的超低功耗移動裝置DRAM;4月開發出超高速繪圖DRAM Graphics DDR6(GDDR6)，可作為AI、虛擬實境(VR)、自駕車、4K以上高像素顯示器的存儲器解決方案。

　　在NAND Flash部分，2017年SK海力士成功開發72層3D NAND Flash之后，已在7月啟動量產，比原本48層產品生產力提高30%，芯片內部運作速度提高兩倍，讀寫性能提高20%，并且推出搭載自主研發控制器的移動裝置用eMMC產品及PCI介面固態硬碟，以高性能、高可靠度的3D NAND Flash解決方案強化事業競爭力。

　　SK海力士為了取得控制器技術，2012年購并美國Link A Media Devices與義大利Ideaflash S.r.l.，2013年購并臺廠銀燦科技控制器事業部，2014年購并Softeq Development FLLC。2012年在韓國京畿道盆唐成立Flash解決方案設計中心，2013年在韓國科學技術院(KAIST)校園內成立儲存媒體解決方案中心。

　　在相關投資方面，2016年SK海力士執行6.29兆韓元(約56億美元)投資計劃，2017年投資規模上看7兆韓元，并且計劃在2019年6月底前投資2.2兆韓元于清州興建NAND Flash工廠。研發經費投入2016年為2.10兆韓元，占營收12.2%。

　　SK海力士表示，在變化多端的半導體市場與競爭結構中，唯有透過大膽進行研發投資加強技術競爭力，才能維持市場領導地位。