東芝存儲器株式會社開發出世界首款QLC 3D閃存

　　存儲器解決方案全球領導者東芝存儲器株式會社今日宣布開發出世界首款[1]采用堆疊式結構的BiCS FLASH?三維(3D)閃存[2]。最新的BiCS FLASH?設備是首款采用4位元(四階存儲單元，QLC)技術的閃存設備，該技術使閃存設備的存儲容量較3位元(TLC)設備進一步提高并推動了閃存技術創新。

　　多位元內存通過管理每個獨立存儲單元中的電子數目來存儲數據。實現QLC技術帶來一系列技術挑戰，在相同電子數目下位元數目每增加一個，需要兩倍于TLC技術的精度。東芝存儲器株式會社利用其先進的電路設計能力和行業領先的64層3D閃存工藝技術，創造出QLC 3D閃存。

　　該原型采用64層3D閃存工藝技術，具有世界最大的裸芯片容量[3](768千兆比特/96 GB)。原型已于6月初發往固態硬盤和固態硬盤控制器廠商處進行評估和開發。

　　QLC 3D閃存還在單一封裝內實現了具有16顆粒堆疊式結構的1.5TB存儲設備，這是業界最大存儲容量[4]。這一開創性產品樣品將于8月7-10日在美國加州圣克拉拉舉行的2017年閃存峰會上亮相。

　　東芝存儲器株式會社已經實現64層256千兆比特(32 GB)設備的批量生產，隨著批量生產的擴張，公司將繼續通過推動技術發展來展示公司的行業領導力。該新QLC產品專注于滿足市場對高密度、芯片尺寸更小的閃存解決方案日益增長的需求，主要面向企業級SSD、消費級SSD和存儲卡等應用。

　　注：

　　1. 數據來源：東芝存儲器株式會社，截至2017年6月28日。

　　2. 一種在硅基板上垂直堆疊閃存存儲單元的結構，相比平面NAND閃存(存儲單元位于硅基板上)，其極大地提高了密度。

　　3. 數據來源：東芝存儲器株式會社，截至2017年6月28日。

　　4. 數據來源：東芝存儲器株式會社，截至2017年6月28日。

　　* 本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能均為其各自公司的商標。