車用存儲器市場分析

　　未來整個應用可能會類似于大腦的網絡神經(如圖9)。

　　ISSI會提供具有DRAM ECC功能產品(圖10)。因為ADAS是非常嚴肅的，對產品的要求非常高。所以ISSI會提供帶有ECC的功能的DARM。

　　Cluster(儀表總成)

　　Tier-one(零部件供應商)占了大部分市場(圖11)，本土企業也非常強。

　　其中，3.5寸、7寸是主流的應用，還有一些是全尺寸的虛擬表。對于ISSI，從3.5寸到12.3寸都有對應的存儲解決方案。例如瑞薩低端產品采用了ISSI汽車級的外部256Mb SPI NOR Flash，中斷產品采用了外部的SDR(x32)和SPI NOR Flash，高端采用外部DDR3/3L。

　　Connectivity Telematics

　　車聯網分為兩塊，一個是OnStar與福特SYNC，另外是除了前述的兩個系統以外的系統。

　　值得一提的是我國上汽推出了一款具有互聯網功能的榮威RX 5 SUV，具有語音識別功能。

　　所以總體地，整個的運算量提升，這對存儲器容量的要求非常高。但此處的存儲器與儀表總成所需的存儲器對安全性的需求是不太相同的。

　　在TCU(Telematics控制單元)方面，ISSI能夠提供全部SDR產品線，汽車級最大密度達512Mb。

　　對于小型天線解決方案，ISSI能夠提供靈活的MCP產品線。

關于ISSI

　　ISSI今年一季度被兆易創新收購。但是ISSI的整個策略、銷售渠道和公司狀況都沒有變，因為其創始人現在仍是ISSI的CEO，也是新公司董事會的成員。

　　ISSI是專業做存儲器的公司，所做的DRAM產品線堪稱業界最全。

　　去年營收3.2億美元，中國市場營業額約占30%。ISSI公司90%做嵌入式應用存儲(其中汽車存儲器為55%，汽車和工控醫療為80%，其他還有醫療等)，而競爭對手90%市場來自移動應用(手機、平板、PC等)。

　　公司存儲器產品溫度適應范圍廣、產品生命周期長、高可靠、高品質，另外，ISSI服務方面也做得很好，在中國有三個實驗室，分別在上海、北京和深圳，可以為客戶服務支持。

　　汽車用存儲器年均增長40%比特(bit)量，成長率高于手機(手機為20%成長)。根據Trendforce報告，2D-NAND Flash 15nm是最后一代制程，而ISSI eMMC中用到MLC NAND flash制程即為15nm，秉承長期支持戰略，可保證長生命周期。

　　2016年中國十大車廠中，除了上汽通用五菱(生產微型面包車)，其他都是ISSI的客戶。此外，本土品牌的長安、吉利、奇瑞等也是ISSI的客戶。

　　下一代 ISSI DRAM(DDR3)產品規劃將演進到25nm，同時，公司也開發帶有ECC DRAM滿足車載應用。

　　關于車聯網市場，IHS統計有三大應用：通用安吉星，福特SYNC，國內俗稱的T-Box。在娛樂導航方面，單顆DDR3 8Gb需求容量已經夠大。車聯網目前主流方案應用DDR3 1Gb/2Gb，儀表總成的需求也沒有那么大，2Gb/4Gb DDR3為主流。

　　車載市場的特點是現在很激進，目前主流存儲器用什么，車載就用什么，不像以前那么保守。有的車上市半年就改款，更換更炫大屏車機，那么對存儲器需求增大。相比之下，工控喜歡利用原有資產(legacy，也稱遺產)，例如5V SRAM還在用，因為工業應用(例如電梯控制板，醫療等)對人的生命有關，需要進行長時間認證，認證成本與cost down下來成本比例相差不大。

ISSI芯片組

　　DDR4 SDRAM方面，ISSI能提供的1.2V DDR4最高到1.2GHz(2400MT/s 數據率)，2.5V電源。同時，ISSI已經開始出貨4Gb DDR4樣品。ISSI也是極少數能夠提供工業和汽車溫度級的DDR4廠商。

　　LPDDR3與LPDDR4 SDRAM方面，LPDDR3可達800MHz(1600MT/s)或更高，帶有1.2V或1.8V供電。4Gb正在開發中，計劃今年出貨。

　　LPDDR4在1600MHz(3.2GT/s)或更高，需要1.1V和1.8V電源電壓。2/4/8Gb正在開發中，計劃2017或2018供貨。用于汽車的新產品有MCP、ECC DDR3、MMC。

　　全球e.MMC市場預計將在2020年達到21億個，驅動力是移動設備。汽車是增長最快的部分，預計2014~2021年器件年均增長16.4%。在汽車部分，信息娛樂預計年均增長20.5%，到2021年將近1.6億個(圖14)。

　　ISSI的e.MMC是15nm MLC NAND Flash。密度有4GB~64GB產品，還有高速解決方案。

　　參考文獻：

　　[1]邢雁寧.中國半導體存儲器市場前景.電子產品世界,2016(7):4-7

　　[2]郭祚榮.2016年全球DRAM市場與趨勢分析.電子產品世界,2016(8):3-7

　　[3]迎九.發展3D NAND閃存的意義.電子產品世界,2017(2-3):6-7

　　[4]葉鐘靈.移動產品牽引移動存儲器.電子產品世界,2014(10):3-6

　　[5]孫俊杰.高交會上東芝引領閃存技術走向.電子產品世界,2015(1):79

　　本文來源于《電子產品世界》2017年第4期第3頁，歡迎您寫論文時引用，并注明出處。