比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產

　　非揮發性電阻式內存(ReRAM)開發商CrossbarInc.利用非導電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過電場轉換機制，開發出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時就像先前在2016年所承諾地如期實現量產。

　　根據Crossbar策略營銷與業務發展副總裁SylvainDubois表示，專為嵌入式非揮發性內存(eNVM)應用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫入速度更高1，000倍，單芯片尺寸約200mm2左右，即可實現高達terabyte(TB)級的儲存，并具有結構簡單與易于制造等優點。

　　該ReRAM組件目前正由其合作伙伴中芯國際(SMIC)進行生產，SMIC最近已宣布為客戶出樣40nmCMOS工藝的ReRAM芯片。除了量產40nmReRAM，預計不久也將實現28nmCMOS的生產。Dubois預期這一時間大約就在2017年的上半年，但他并未透露是否仍沿用SMIC還是其他代工廠為其生產28nmCMOS。

　　Crossbar成立于2010年，迄今已籌措超過8，000萬美元的資金，包括獲得來自中國創投公司NorthernLightVentureCapital的支持。該公司目前正尋求透過知識財產權(IP)的授權業務模式。

　　Crossbar是目前競相投入開發非揮發性內存(NVM)技術的多家公司之一;NVM技術可望用于取代閃存，并可微縮至28nm以及更先進工藝。尤其是在相變內存無法成功用于商用市場后，ReRAM已被業界視為一種更可能取得成功的備選技術。不過，ReRAM技術也有多種版本，在許多情況下，可能無法完全深入了解在其切換和失效模式背后的原理。有些人甚至指出磁性內存(MRAM)可能會是在28nm節點勝出的非揮發性內存。

　　另一種競爭技術是基于碳納米管(CNT)薄層的非揮發性內存，由NanteroInc.所提供。該公司已將其CNTRAM技術授權給無晶圓廠芯片公司——富士通半導體(FujitsuSemiconductor)，用于其55nm及其后的40nm先進工藝中。

　　“有些應用需要16Mbit或更高位的內存，有些則不需要。我們正致力于處理更大的宏，但也讓客戶開發自家的ReRAM宏，”Dubois說。

　　ReRAM已經明顯表現出優于閃存的優點了，包括20奈秒(ns)的讀取延遲以及12ns的寫入延遲，相形之下，閃存還存在幾毫秒的延遲。Dubois解釋，“我們的技術并不存在區段擦除(blockerase)，因而能夠重新寫入單個字節。”至于其耐久性，Dubois強調，Crossbar可確保達到100k次的讀寫周期。他說：“對于這些應用，100k是一般鎖定的目標，但我們持續使其推向更高的穩定度。”

　　CrossbarReRAM內建選擇特性，能使內存單元在1T1R數組中實現超低延遲的讀取，或在1TnR數組中實現最佳面積效率(4F2單元)

　　Crossbar目前正推動雙軌業務策略，一方面針對嵌入式非揮發性應用研發ReRAM，另一方面則作為高容量獨立型內存的技術開發者。盡管Crossbar在2016年閃存高峰會(FlashMemorySummit)與2017年國際消費性電子展(CES)上仍以選用組件展示其進行交*點數組的能力，但以技術成熟度來看，嵌入式非揮發性內存大約超前一年以上。

　　Crossbar并聲稱具備為其密集交*點內存數組進行3D堆棧的能力，使其得以微縮至10nm以下，并為每單元儲存多個位，從而在單一芯片上實現高達TB級的高容量非揮發性內存。

　　Dubois表示，Crossbar正與一家或多家公司合作，共同創造高容量的分離式ReRAM組件，同時也將采用授權業務模式。但他并未透露是哪幾家合作伙伴或獲授權的業者。

　　然而，Crossbar強調，未來將會以自家公司品牌開發獨立的內存，以便在編碼儲存取代NOR閃存，以及在數據儲存方面取代NAND閃存。“為了進軍這一市場，必須與其他業者合作，形成強大的策略聯盟，”Dubois表示，“我們的目標是成為內存產業的ARM!”

　　Dubois指出，Crossbar的客戶尚未商用化量產其嵌入ReRAM的IC，而今在從SMIC取得樣片后，預計后續的發展將會加速。“對于公司和市場來說，目前正是關鍵的階段。我們必須證明其可靠性。”