Intel高級院士曝光自家10nm工藝：集成度比優于對手

　　臺積電和三星紛紛量產10nm，而曾經作為半導體工藝技術龍頭的Intel卻動作遲緩，待在14nm上不肯動彈了，10nm目前看最快最快也得2018年下半年。

　　那么，真的是Intel在技術上黔驢技窮了?

　　顯然不是。Intel在最新一期的半導體行業權威刊物《IEEE Spectrum》上撰文，暢談了自己的10nm工藝，尤其是在技術、成本方面的巨大優勢。

　　Intel高級院士Mark Bohr表示，Intel 10nm工藝的晶體管密度不但會超過現在的Intel 14nm，還會優于其他公司的10nm，也就是集成度比他們更高，柵極間距將從14nm工藝的70nm縮小到54nm，邏輯單元則縮小46%，這比以往任何一代工藝進化都更激進。

　　他說：“本代工藝和相關產品要傳達的一個重要信息，就是希望能夠打消行業對于摩爾定律將死的憂慮。”

　　Intel在技術上的實力其實根本不用懷疑，那么是不是成本限制了10nm?Mark Bohr也談到了這一點，明確表示Intel 10nm晶圓的整體成本確實會高于14nm，但是平均到每個晶體管上會更低。

　　和每一代新工藝一樣，10nm也能提高晶體管的運行速度，或者降低能耗，但更重要的顯然是后者。

　　Mark Bohr表示：“這些新工藝的首要目標確實是降低能耗，或者說提高能效，只有這樣才能在服務器芯片內加入更多核心，或者在GPU內加入更多執行單元，然后才是降低晶體管成本。”

　　目前，臺積電、GlobalFoundries(AMD)、三星等都在積極籌劃7nm，Intel的似乎還很遙遠。

　　Mark Bohr對此表示，如果從10nm過渡到7nm會花更長時間，那么最重要的就是想方設法增強已有技術，每年帶來新產品。

　　這似乎意味著，在未來至少五年左右的時間里，Intel仍會堅持當前的產品研發和發布策略，不會變的太激進。