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        5G和軍工雙輪驅(qū)動(dòng)化合物半導(dǎo)體業(yè)爆發(fā)

        作者: 時(shí)間:2016-10-12 來(lái)源:半導(dǎo)體直線(xiàn)距離 收藏
        編者按:5G已經(jīng)成為通信領(lǐng)域里的重點(diǎn)研究對(duì)象,5G 標(biāo)淮引爆全球群英戰(zhàn),美國(guó)率先完成 5G 頻譜分配,在 5G 標(biāo)淮制定中誰(shuí)掌握話(huà)語(yǔ)權(quán),將會(huì)在新一代移動(dòng)通信技術(shù)革命中占據(jù)先機(jī)。而隨著2020年5G逐漸步入商用,使物聯(lián)網(wǎng)逐漸成為現(xiàn)實(shí);以及國(guó)防信息化推進(jìn)加速,化合物半導(dǎo)體將來(lái)爆發(fā)。

          2015 年,平均每臺(tái)手機(jī)應(yīng)用到的頻段數(shù)量為 9.15 個(gè),相對(duì) 2011 年的 4.18 個(gè)翻了一倍多。我們預(yù)計(jì)到 2020 年,平均每臺(tái)手機(jī)應(yīng)用到頻段數(shù)將達(dá)到 16.44 個(gè)。同時(shí),對(duì)應(yīng)智能手機(jī)射頻前端總價(jià)格在 9 美元左右,到 2020 年射頻前端價(jià)值將增至 16 美元。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201610/311222.htm

          2G-3G-4G 手機(jī)單機(jī) PA 價(jià)值量增長(zhǎng)迅速。 一個(gè) 2G 手機(jī)單機(jī) PA 價(jià)值量為 0.3 美元;3G 手機(jī)單價(jià)價(jià)值量為 1.25美元,普通 4G手機(jī)單機(jī) PA價(jià)值量為 2美元,而全頻 4G 手機(jī)單價(jià)價(jià)值量高達(dá) 3.25 美元,手機(jī)更新?lián)Q代帶動(dòng) PA價(jià)值量迅速增長(zhǎng)。

          在 PA領(lǐng)域,一直存在硅基 CMOS PA與砷化鎵 PA之爭(zhēng)。2013年上半年高通推出 CMOS 功率放大器解決方案開(kāi)始打入低端智能手機(jī)供應(yīng)鏈,但是由于硅材料物理性能限制,無(wú)法應(yīng)用于高頻領(lǐng)域。因此,雖然硅材料較砷化鎵有成本優(yōu)勢(shì),但是,高端市場(chǎng)并不會(huì)受到影響,砷化鎵材料在功率放大器市場(chǎng)仍有 85%的市占率。



          根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 報(bào)告顯示,2015 年全球智能手機(jī)出貨量為 12.93 億部,年增長(zhǎng) 10.3%,其中來(lái)自中國(guó)地區(qū)的手機(jī)品牌合計(jì)出貨量高達(dá) 5.39 億部,占全球比重超過(guò)四成;對(duì)應(yīng)的 2015 年全球射頻前端市場(chǎng)為 116 億美元,我們按照 2020 年全球手機(jī)出貨量 20億臺(tái)計(jì)算,對(duì)應(yīng)的全球射頻前端市場(chǎng)為 320億美元。2015 年度全球手機(jī)砷化鎵元件需求接近 135 億顆,國(guó)內(nèi)手機(jī)砷化鎵元件市場(chǎng)需求量超過(guò) 49億顆。未來(lái)隨著 4G 手機(jī)滲透率不斷提升,手機(jī)用砷化鎵元件還將不斷增長(zhǎng);而隨著 2020年之后 的普及,手機(jī)用砷化鎵元件市場(chǎng)需求還將繼續(xù)提升。





          3.1.2. 國(guó)外 IDM 廠(chǎng)商搶占砷化鎵半導(dǎo)體市場(chǎng)先機(jī)

          砷化鎵半導(dǎo)體的制造流程與硅相似,從上游材料、IC 設(shè)計(jì)、晶圓代工到封裝測(cè)試,完成砷化鎵半導(dǎo)體制造的全部產(chǎn)業(yè)鏈。與硅材料大規(guī)模集成電路制造不同,砷化鎵微波功率半導(dǎo)體多為分立器件,制造工藝相對(duì)簡(jiǎn)單。另一方面,由于材料性能差異大,晶圓制造的設(shè)備及工藝與硅有極大的不同,主要難點(diǎn)在外延片的生產(chǎn),通過(guò)拉單晶形成GaAs晶棒,然后通過(guò)復(fù)雜工藝形成 GaAs晶圓,在MOCVD 設(shè)備中長(zhǎng)成GaAs外延片晶圓。



          砷化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)參與者多為國(guó)外 IDM廠(chǎng)商。據(jù) Strategy Analytics 統(tǒng)計(jì),2014 年全球 元器件市場(chǎng)總產(chǎn)值為 74.3 億美元,其中 Skyworks、 Qorvo (2014 年由 RFMD 和 TriQuint 合并而來(lái))、 Avago 三大 IDM 廠(chǎng)商占據(jù) 元器件市場(chǎng)達(dá)到 63.50%。而占據(jù)總市場(chǎng)規(guī)模 4.4%的純代工企業(yè)穩(wěn)懋即占據(jù)了 元器件市場(chǎng)代工市場(chǎng)近 60%的份額。砷化鎵材料現(xiàn)在正處于發(fā)展階段,目前全球砷化鎵微波功率半導(dǎo)體領(lǐng)域參與者數(shù)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于硅,市場(chǎng)分布較為均衡。IDM廠(chǎng)商毛利率達(dá)40%,RFMD(Qorvo)為原諾基亞PA 供貨商,毛利率低于同行業(yè)平均水平。




        關(guān)鍵詞: 5G GaAs

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