ARM基于臺積電10nm多核測試芯片問世

　　ARM宣布首款采用臺積公司 10奈米FinFET制程技術的多核心 64位元 ARM v8-A 處理器測試晶片問世。模擬基準測試結果顯示，相較于目前多用于多款頂尖高階手機運算晶片的16奈米FinFET+ 制程技術，此測試晶片展現更佳運算能力與功耗表現。

　　新款測試晶片已成功獲得驗證，2015 年第 4 季已完成設計定案。

　　此 款測試晶片已成功獲得驗證(2015 年第 4 季已完成設計定案)，為 ARM 與臺積公司持續成功合作的重要里程碑。此一驗證完備的設計方案包含了EDA工具、設計流程及方法，能夠使新客戶采用臺積公司最先進的10奈米 FinFET 制程完成設計定案。此外，亦可供 SoC 設計人員利用基礎 IP (標準元件庫、嵌入式記憶體及標準 I/O) 開發最具競爭力的 SoC，以達到最高效能、最低功耗及最小面積的目標。

　　ARM 執行副總裁暨產品事業群總經理 Pete Hutton 表示：“高階行動應用 SoC 設計的最高指導原則就是低功耗，因為現今市場對裝置效能的需求日益高漲

　　”Pete Hutton進一步指出，“臺積公司的16奈米FFLL+制程與 ARM Cortex處理器已奠定低功耗的新標準。我們與臺積公司在10奈米FinFET制程技術的合作，可確保在SoC層面上的效率，使客戶在維持嚴苛的行動功 耗標準下，同時能夠有余裕發展更多的創新。”

　　臺積公司研究發展副總經理侯永清博士表示：“透過與ARM 合作，使我們在制程技術與 IP 的生態系統上能快速地進展，并加速客戶的產品開發周期。”侯永清指出，“我們聯手定義處理器技術，持續促進行動通訊市場的發展，最新的努力成果就是結合 ARM 處理器與臺積公司10奈米FinFET 技術，為各種高階行動裝置及消費性電子產品的終端使用者帶來嶄新體驗。”

　　此款最新的測 試晶片是 ARM 與 臺積公司長期致力于先進制程技術的成果，植基于2014年10月宣布的首次 10奈米FinFET 技術合作。ARM與臺積公司共同的IC設計客戶亦獲益于提早取得ARM Cortex-A72處理器的 ARM Artisan實體IP與16奈米FinFET+設計定案，此款高效能處理器已獲當今多款暢銷高階運算裝置采用。