發展Flash晶圓制造的四大投資方向

　　中國大陸業者在NANDFlash產業鏈的相關布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導體業揮軍全球的下一波焦點。

　　某研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產能，預估2020年中國大陸國內Flash月產能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。

　　預估2012~2016年NANDFlash生產端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NANDFlash仍為高速發展產業。

　　拓墣研究經理林建宏表示，中國大陸在突破內存自制缺口的政策方針下發展Flash晶圓制造，可由NANDFlash產品特性、3DNAND需求、新興市場的增長空間、及國際半導體大廠在中國大陸投資四大方向切入。

　　1.NANDFlash產品特性(資金成本)

　　產品在消費性應用下，價格是主要考慮，因此生產成本的控制至為關鍵。中國大陸廠商宜透過折舊認列年限調整、租賃、稅負與資金成本等因素操作為切入點。

　　2.3DNAND需求(制程微縮)

　　Flash在進入2x納米后，制程微縮帶來的成本優勢越來越不明顯，延遲了國際Flash大廠技術進程，因此3D-NANDFlash成為成本繼續降低的重要方法。林建宏指出，產品由2D到3D，需有新的技術領域加入，若能整合跨領域人才和技術，便能成為中國大陸廠商追趕的機會。

　　3.新興市場增長空間

　　雖然Flash產業短期仍處于供過于求，但長期而言新興市場仍有增長空間。中國大陸采用“一帶一路”政策發展的策略，對開發其周遭新興市場需求有相當幫助，妥善安排資源與發揮對新興國家的影響力，將是中國大陸獨有的優勢所在。

　　4.半導體大廠在中國大陸投資(人力與市場)

　　國際半導體廠商積極投入中國大陸，在當地培養有經驗和技術的人才，支持廠房運維的高度需求，有助降低中國大陸發展自主Flash制造的門檻。中國大陸透過廣大的人力和市場成功吸引國際廠商的進駐，為中國大陸發展Flash產業帶來最好機會。