英特爾發布14nmFinFET工藝Xeon處理器和使用3D NAND的SSD

　　英特爾于2016年4月1日發布了服務器用微處理器Xeon的新產品以及企業級SSD的新產品。兩種類的新產品都容易實現SDI(軟件定義基礎架構)，能輕松構建合適的云環境等。

　　此次發布的MPU是面向中端服務器的“Intel Xeon Processor E5-2600 v4系列”(開發代碼：Broadwell-EP)，利用14nm FinFET工藝制造。與利用22nm FinFET制造的上一代產品“Intel Xeon Processor E5-2600 v3系列”(開發代碼：Haswell-EP)相比，強化了性能等。

　　具體來說，每個插槽的CPU內核數/線程數量由最多18/36增至22/44;末級緩存容量由45MB增至55MB;支持的的DDR4內存速度也更高，上一代產品最高為DDR4-2133，而新產品達到DDR4-2400。

　　SSD新產品有兩個系列，分別是“Intel SSD DC P3320/P3520系列”和“Intel SSD DC D3700/D3600系列”。前者在英特爾SSD中首次采用了3D NAND，其中，P3320的性能是SATA連接的現有產品的最高5倍。

　　D3700/D3600是英特爾SSD中首款支持雙端口的產品。是PCI Express連接的SSD，符合NVMe(Non-Volatile Memory Express)標準。以D3700為基礎構建的系統性能最高可達到現在市場上的雙端口SAS的6倍。