40nm代工RRAM存儲(chǔ)芯片 中芯國(guó)際進(jìn)入下一代內(nèi)存產(chǎn)業(yè)

　　中芯國(guó)際(SMIC)已經(jīng)是國(guó)內(nèi)最大、最先進(jìn)的晶圓代工廠，除了處理器之外他們也在積極謀劃存儲(chǔ)類芯片業(yè)務(wù)。2014年9月份他們推出了自己開發(fā)的38nm NAND閃存芯片，日前中芯國(guó)際又跟Crossbar公司達(dá)成了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將使用40nm工藝為后者代工PRAM阻變式存儲(chǔ)器芯片，意味著中芯國(guó)際已經(jīng)進(jìn)入了下一代內(nèi)存產(chǎn)業(yè)。

　　RRAM阻變式存儲(chǔ)器也被稱為相變內(nèi)存，RRAM使用一種或者多種含硫化物玻璃制成，其特點(diǎn)就是受熱之后可以改變形狀，成為晶體或者非晶體，而不同狀態(tài)具有不同電阻值，因此可以用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。

　　與普通的RRAM相比，RRAM內(nèi)存不僅寫入速度快30倍，壽命延長(zhǎng)10倍，而且RRAM內(nèi)存在斷電時(shí)不會(huì)丟失數(shù)據(jù)，所以它不僅可以替代內(nèi)存，也可以替代閃存。目前Intel、三星等公司都在積極投身PRAM內(nèi)存研發(fā)。

　　中芯國(guó)際合作的伙伴Crossbar是全球RRAM內(nèi)存產(chǎn)業(yè)中的領(lǐng)導(dǎo)者之一，中芯國(guó)際將使用40nm CMOS工藝為其代工RRAM產(chǎn)品，將幫助客戶將低延時(shí)、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲(chǔ)器組件整合入MCU及SoC等器件，以應(yīng)對(duì)物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、平板電腦、消費(fèi)電子、工業(yè)及汽車電子市場(chǎng)需求。