單位性能才是硬道理 驍龍820技術解析

　　作為智能手機最重要的一環，SoC在16年發展方向逐漸從過去的“拼最高性能、最高主頻”向著單位性能比拼的方向中去。如何提升單位主頻下的運算性能、如何在超低功耗下提升性能才是未來SoC發展方向。正在巴塞羅那舉辦的16年MWC上，無論是LG G5、三星S7系列甚至即將發布的小米5，都采用了三星14nm FinFET工藝的高通驍龍820。

　　提到驍龍820的性能，我們首先就要提到此次驍龍820選用的三星14nm FinFET工藝。簡單來說更先進的工藝能夠提升單位面積下晶體管數量，提升晶體管性能，提升整體芯片性能。同時通過更先進的制程工藝也能夠達到降低漏電率降低功耗減少發熱的效果。總體而言更先進的制程能在相同的功耗下達到更高的性能，在相同的性能下有著更好的功耗表現。

　　在筆者印象中，Qualcomm有幾款頗具影響力的SoC產品：QSD8250、QSD8260、APQ8064、驍龍800、驍龍801、驍龍820等。其中QSD8250/8260采用自主研發Scorpion架構，驍龍800/801采用自研Krait架構，而此次驍龍820則采用最新的Kryo自研架構。

　　此次采用Kryo架構的驍龍820采用四核心設計，時鐘頻率達到2.2GHz，但有一點值得我們注意，相比于APQ8064、驍龍800、驍龍801不同，此次驍龍820采用了2*2.2GHz+2*1.5GHz的不同時鐘頻率的四顆核心設計。同時，之前驍龍800采用了4aSMP，也就是四個異步對稱式核心，每科核心均能夠單獨控制，每顆核心的頻率也不存在差異。而此次驍龍820采用兩簇核心管控2aSMP，也就是2+2的異步對稱式核心，換句話說2顆1.5GHz核心是同步同頻的，而兩顆2.2GHz也是同步同頻的，但在這兩簇核心組之間采用了異步對稱式的設計。講到這里大家可能認為驍龍820也采用了類似big.LITTLE的設計，但通過Qualcomm官方的講解其實并不是這樣，兩簇核心組僅是時鐘頻率上有所差異，但仍采用相同的Kryo架構。