延續摩爾定律: 新型超平面錫氧半導體材料有望讓芯片提速百倍

　　近年來，半導體行業總是籠罩在摩爾定律難以為繼的陰霾之下，但是新材料的出現，或可讓它迎來又一個拐點。美國猶他州大學的工程師們，已經發現了一種由一氧化錫制成、只有單原子厚度的新型平面材料。這種材料可讓電荷以更快的速度通過，遠勝硅與其它3D材料。相比之下，在傳統電子設備上，電荷會以各個方向穿過晶體管、以及玻璃襯底上其它由硅層組成的部件。

　　采用錫氧材料打造的更快的半導體器件

　　直到近年，工程師們才更多地將目光放到了諸如石墨烯(graphene)、二硫化鉬(molybdenumdisulfide)、硼墨烯(borophene)等2D材料上。

　　領導這項研究的AshutoshTiwari教授稱其強制電子“僅在單層上以快得多的速度通過”，是加快填補電子新材料缺口的一個重要組成部分。

　　與石墨烯和其它近似原子厚度的材料不同，其同時允許負電子和正正電荷穿過，因此研究團隊將之描述為“現有首種穩定P型2D半導體材料”。

　　我們現在已經擁有了一切，事物將會以快得多的速度推進。

　　團隊認為這種材料可用于制造比當前所使用的更小、更快的晶體管，讓計算機和移動設備的運行速度提升百倍，同時溫度更低、效率更高，并且延長電池的續航。

　　當前該領域異常火熱，人們對它深感興趣。有鑒于此，我們有望在2到3年內看到一些原型設備。

　　這項研究已經發表于本周出版的《先進電子材料》(AdvancedElectronicMaterials)期刊上。