5 結論
作為第三代照明光源，發光二極管( LED) 的使用已經日益廣泛，LED 發光效率的提高對于降低功耗、節約能源有著重大的意義。目前，GaN 基LED的內量子效率已經達到90%，但由于受全反射影響，普通LED 的外量子效率僅為5%。利用LED 芯片表面的微結構加工，可以大幅改善LED 的出光效率。但由于微納結構加工的重復性不好以及加工過程中對半導體材料的電學特性有所影響，這些因素都會影響到LED 芯片的出光效率以及增加芯片能耗。因此，優化和改善微納結構加工工藝以及將微結構加工與其他提高出光效率的技術相互結合，是未來的研究趨勢。
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