TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設計

　　從改善雪崩注入二次擊穿的角度考慮，希望集電區厚度WC≥BVCBO／EM，其中EM為最大電場強度。

　　南于TIP41C晶體管的BVCBO要求為280 V，因此，對于電阻率ρc為25 Ω?cm的硅晶體管，集電區厚度WC≈20μm。假設使用摻As襯底材料，反擴散層厚為2μm，則外延層厚度T應等于30μm。所以，可取材料外延層厚度為30+2μm。

2.4 基區硼擴散濃度的確定

　　為改善晶體管的大電流特性，基區硼擴散濃度應高一些，但基區雜質濃度太高又會降低BVEBO，所以，應在保證BYEBO≥5 V的前提下盡量提高基區濃度。基區雜質沉積可采用離子注人工藝，當基區再分布后，可認為基區受主雜質的再分布是高斯函數分布。若試用表面濃度NSB等于 1018cm-3來分析，則式中：N(x，t)為硅片中任意一點x處的雜質濃度：。為表面濃度，它是時間t的函數，其中Q為摻雜總量；事實上，在xjc=8μm處，有 因此有：這樣，有：
查高斯函數表得:而在發射結xje為5μm處有：再查高斯函數表得：即有：由此發射結處質濃度可查表得 考慮到邊緣擊穿，擊穿電壓有一定的下降，但也能滿足BVEBO≥5 V。而用NC=2×1014cm-3NSB=1018cm-3，xje=8μm便可查曲線得出基區的方塊電阻R□b為100 Ω／口。

2.5 發射區磷擴散濃度的確定

　　為了保證有足夠的放大系數，要求發射區的磷擴散表面濃度約為1021cm-3。這在xje=5μm，NSB=1018cm-3的條件下，可查曲線估算出發射區方塊電阻R□e為1 Ω／口，但在實際工作中，一般R□e以滿足放大系數hEE為前提。因此，為了保證TIP41C發射區擴散有足夠高的雜質濃度，發射區擴散采用三氯氧磷液態源工藝。