MOSFET雙芯片功率封裝簡化電源設計

　　圖 2

　　事實上，低邊MOSFET的導通電阻是器件的關鍵特性。即使封裝尺寸變小了，還是有可能在最高4.5V電壓下把RDS（on） 降到5mΩ以下。這有助于提高在最大負載條件下的效率，還能讓器件工作起來的溫度更低，即便尺寸很小。。

　　這種器件的另一個好處是布線。從圖2中可以看到，封裝的引腳使其能很容易地集成進降壓轉換器設計方案中。更特殊之處在于，器件的輸入是在一側，輸出在另一側。引腳2和3與DC-DC電路的VIN相對應，是高邊MOSFET的漏極。小焊盤也是高邊元器件的漏極焊盤。較大的焊盤是電路的開關節點的焊盤更大，在這個地方，高邊MOSFET的源極合低邊MOSFET的漏極在內部連到器件上。這個節點會連到電感器。最后，接地是引腳4和5，是低邊MOSFET的源極。引腳1和6 分別連到高邊和低邊MOSFET的柵極。這種布線很簡單，而且減少了用兩個器件時發生布線錯誤的幾率。把多個器件組合在一起時需要額外的PCB走線，這種布線還能減少與此種PCB走線相關的寄生電感：

　　改用較小外形尺寸雙芯片功率封裝的最后一個好處是能夠實現的效率可以幫助提高功率密度。器件安裝在單相降壓轉換器評估板上，條件如下。

　　VIN = 12 V， VOUT = 1.05 V， VDRIVE = 5.0V， fsw = 300 kHz， IOUT max. = 15 A

　　效率是在整個功率范圍內測量的。在15A電流下，效率是87%，器件的外殼溫度恰好低于70 °C。峰值效率高于91.5 %。這樣的性能有助于在醫療系統中減少功率損耗，節約能量，而且還能實現小外形尺寸的設計。

　　圖 3

　　采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的雙芯片不對稱功率封裝是MOSFET封裝技術上的重大進步。這種封裝使工程師能夠改善電源的性能，縮小體積，以及簡化設計，同時實現現在的消費電子產品所要求的高效率或性能。