WJ推出28 V InGaP HBT功率放大器技術

WJ通訊公司（納斯達克股票交易所代號：WJCI）是從事射頻（RF）解決辦法的領先設計公司和供應商，它的產品用于無線設施（wireless infrastructure）和射頻識別（RFID）讀出技術，今日宣布研制成功令人振奮的28 V InGaP HBT技術，用于移動基本設施的功率放大器。與市場上現有的其他技術比較，這項技術在功率輸出和效率方面具有顯著的優點。這種28 V工藝是在WJ通訊公司現有的5 V InGaP HBT工藝的基礎上發展起來的，已經通過實踐證明它是可靠性很高的工藝，適合移動基礎設備使用。使用這種新的28 V工藝制造的幾種新產品正在研制之中，將在2006年第三季度推出。

“對于研究成功這項新的28V InGaP HBT工藝，我們感到十分振奮。這項技術顯著地提高了鄰近頻道功率比/鄰近頻道泄漏比（ACPR/ACLR）性能，而效率與市場上目前的LDMOS產品相當或者更高。”WJ通訊公司負責工程技術的副總裁Morteza Saidi說道。“用這項技術制造的器件可以作為B類放大器使用，由于獨特的電路設計（已經申請專利權），它的ACPR/ACLR性能仍然很好。我們初步計劃推出幾種1 dB壓縮點（P1dB）功率為10 W的產品，這項技術也適合于制造功率更大的產品。”    

工藝簡介
+28 V InGaP HBT工藝是先進的技術，它的擊穿電壓極高，能夠用于很大的功率。我們已經在半導體結溫為315 ℃的情況下進行了4000小時的壽命試驗，而且它的β降級極少。我們已經證明這項工藝在輸入過載6 dB時，仍然不會損壞。

封裝的開發
WJ通訊公司還研制了一種可以進行表面貼裝的功率QFN封裝，用于這些InGaP HBT產品，它是使用低熔點貼片技術把芯片貼上去，大量地降低了熱阻，保證它能夠可靠地工作。