D類MOSFT在發(fā)射機(jī)射頻功放中的應(yīng)用
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在射頻激勵信號的負(fù)半周，MOS管QI／Q3截止，QS／Q7導(dǎo)通，如圖5(a)所示。而在射頻激勵輸入信號的正半周，MOS管Q1／Q3導(dǎo)通，QS／Q7截止，如圖5(b)所示。Q2／Q4和Q6／Q8的開關(guān)情況與此正好相反。跨在功率合成變壓器初級兩端的輸出信號就在半個周期里，在地(約為0V)和正電源間進(jìn)行一次切換，如圖5(c)所示。
2．3 射頻功放模塊在關(guān)斷時的射頻電流
由于DX一200型DAM發(fā)射機(jī)的射頻功放模塊數(shù)為224，在不同的功率等級下所接通的射頻功放模塊的數(shù)量不同，其輸出變壓器的次級為串聯(lián)輸出，這就決定了關(guān)斷的射頻功放模塊必須為在用的或者接通的功放模塊提供一條低阻抗導(dǎo)電通路。其工作原理電路如圖6所示。本文引用地址：http://www.104case.com/article/157734.htm
因為在用的功放模塊產(chǎn)生的射頻電流必須流過合成變壓器的次級，并在已關(guān)斷的射頻功放模塊的初級繞組上感應(yīng)出射頻電壓。根據(jù)楞次定律，變壓器次級電流所產(chǎn)生的磁通總是試圖抵消初級電流所產(chǎn)生的磁通，所以，流過關(guān)斷功放輸出變壓器次級的電流感應(yīng)到初級的電壓后，一定和原來的輸出電壓極性相反。在如圖6(a)所示，由次級電流感應(yīng)到初級的電壓為左正右負(fù)，說明關(guān)斷的射頻功放在導(dǎo)通狀態(tài)下的變壓器初級電壓極性是左負(fù)右正，與此相對應(yīng)的導(dǎo)通管為Q2／Q4，截止管為01／Q3，從而形成的低阻抗通路為：與Ql／Q3相并聯(lián)的反向二極管→旁路電容C1、C3→旁路電容C2、C4→Q2／Q4→隔直電容C。同理，圖6(b)所形成的低阻抗通路為：與Q2／Q4相并聯(lián)的反向二極管→旁路電容C2、C4→旁路電容C1、C3→Q1／Q3。
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