- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的設置來分析SiC和IGBT模塊的開關特性
- 關鍵字：
雜散電感 SiC IGBT 開關特性
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環路電感影響分析。（點擊查看直流鏈路環路電感分析）測試設置雙脈沖測試
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的設置來分析S
- 關鍵字：
IGBT SiC 開關特性
- 1 前言 用于控制、調節和開關目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(on
- 關鍵字：
IGBT 柵極電阻 開關特性 性能影響
- 1 前言 用于控制、調節和開關目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(
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IGBT 柵極電阻 開關特性 分析
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